[發明專利]半導體元件

有效

• 申請號: 201810885931.2
• 申請日: 2018-08-06
• 公開（公告）號: CN110364507B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 廖忠志
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體元件，其特征在于，包含：

多個晶體管，形成在一基材上方；

一第一金屬化層，位于所述多個晶體管上方，該第一金屬化層包含設置在一第一介電層中的多個第一金屬特征，所述多個第一金屬特征具有沿著垂直于該基材的一上表面的一第一方向的一第一厚度；

一第二金屬化層，位于該第一金屬化層上方，該第二金屬化層包含設置在一第二介電層中的多個第二金屬特征，所述多個第二金屬特征具有沿著該第一方向的一第二厚度；以及

一第三金屬化層，位于該第二金屬化層上方，該第三金屬化層包含設置在一第三介電層中的多個第三金屬特征，所述多個第三金屬特征具有沿著該第一方向的一第三厚度，其中該第二厚度小于該第一厚度和該第三厚度，所述多個第二金屬特征縱向排列并實質垂直于所述多個第一金屬特征，而所述多個第三金屬特征縱向排列并實質平行于所述多個第一金屬特征。

2.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，所述第二厚度與所述第一厚度的一比率在0.5至0.95的范圍內。

3.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，其中一些所述多個第一金屬特征與所述多個第三金屬特征配置用于在該半導體元件中繞線連接電源線，而所述多個第二金屬特征并無電源線。

4.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，所述多個晶體管包含沿著一第二方向縱向排列的多個柵極堆疊，所述多個第二金屬特征沿著平行于所述第二方向的一方向縱向排列。

5.根據權利要求4所述的半導體元件，其特征在于，其中所述多個柵極堆疊以一第一間距彼此間隔，而所述多個第二金屬特征以小于該第一間距的一第二間距彼此間隔。

6.根據權利要求5所述的半導體元件，其特征在于，其中該第二間距和該第一間距的比為2：3或為1：2。

7.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，進一步包含：

多個接觸特征，位于所述多個晶體管的多個源極/漏極特征上方；

多個第一通孔特征，和所述多個接觸特征接觸，其中所述多個第一金屬特征直接接觸所述多個第一通孔特征；

多個第二通孔特征，和所述多個第一金屬特征接觸，其中所述多個第二金屬特征直接接觸所述多個第二通孔特征；以及

多個第三通孔特征，和所述多個第二金屬特征接觸，其中所述多個第三金屬特征直接接觸所述多個第三通孔特征。

8.根據權利要求7所述的半導體元件，其特征在于，其中所述多個第一通孔特征包含鎢(W)，鎢(W)與圍繞所述多個第一通孔特征的一介電層直接接觸。

9.根據權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，其中該第二厚度和該第一厚度的該比率在0.8至0.9之間。

10.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，其中該第一厚度和該第三厚度為相同的。