[發明專利]包括膜和致動器的MEMS器件

在審

• 申請號: 201810885372.5
• 申請日: 2018-08-06
• 公開（公告）號: CN109384190A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: D·帕希;D·朱斯蒂
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;G02B15/04
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種MEMS器件，包括：

支撐體，至少部分地由半導體材料形成；

第一腔體，在所述支撐體內延伸；

膜，包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，并且所述膜包括在所述第一表面上固定到所述支撐體的周邊部分和在所述第一腔體上方延伸的懸置部分；

突出區域，固定到所述膜的所述第一表面；

第一可變形結構，在所述膜的所述懸置部分的所述第二表面上方延伸，與所述膜的所述懸置部分的中心部分相隔一段距離，所述第一可變形結構相對于所述突出區域而朝向所述膜的所述周邊部分橫向突出，并且所述突出區域相對于所述第一可變形結構而朝向所述膜的所述懸置部分的中心部分橫向突出，所述第一可變形結構以電可控制的方式是可變形的，以致使所述膜的所述懸置部分的變形，從而致使所述懸置部分的中心部分沿第一方向平移；和

第二可變形結構，至少部分地在所述膜的所述懸置部分的第二表面上方延伸，所述第二可變形結構在所述膜的所述周邊部分的方向上從所述第一可變形結構橫向偏移，所述第二可變形結構以電可控制的方式是可變形的，以致使所述膜的所述懸置部分的變形，從而致使所述懸置部分的中心部分沿不同于所述第一方向的第二方向平移。

2.根據權利要求1所述的MEMS器件，其中，所述突出區域的厚度大于所述膜的厚度的兩倍。

3.根據權利要求2所述的MEMS器件，

其中，所述第一可變形結構包括由壓電材料形成的至少一個內部可變形區域或者對應的具有不同熱膨脹系數的材料的重疊區域對；和

其中，所述第二可變形結構包括由壓電材料形成的至少一個外部可變形區域或者對應的具有不同熱膨脹系數的材料的重疊區域對。

4.根據權利要求3所述的MEMS器件，其中，所述內部可變形區域圍繞所述膜的所述懸置部分的中心部分，并且其中所述外部可變形區域以一段距離圍繞所述內部可變形區域。

5.根據權利要求3所述的MEMS器件，

其中，所述第一可變形結構包括多個內部可變形區域，所述多個內部可變形區域圍繞所述膜的所述懸置部分的中心部分布置；和

其中，所述第二可變形結構包括多個外部可變形區域，所述內部可變形區域和所述外部可變形區域成角度地相互交叉。

6.根據權利要求5所述的MEMS器件，其中，所述膜的所述懸置部分的中心部分具有對稱軸線，并且其中所述內部可變形區域最接近所述對稱軸線、并且與所述對稱軸線間隔開第一距離，并且其中最接近所述膜的所述周邊部分的對稱軸線的點與所述對稱軸線間隔開第二距離，并且其中所述第一距離大于所述第二距離的三分之二。

7.根據權利要求6所述的MEMS器件，其中，所述至少一個內部可變形區域和所述至少一個外部可變形區域是相同的壓電材料。

8.根據權利要求7所述的MEMS器件，其中，所述壓電材料是單晶態型壓電材料。

9.根據權利要求8所述的MEMS器件，其中，所述壓電材料是PZT。

10.根據權利要求1所述的MEMS器件，還包括延伸通過所述膜的孔，并且其中所述突出區域界定延伸通過所述突出區域的整個厚度的第二腔體，所述第二腔體面向所述孔。

11.根據權利要求10所述的MEMS器件，還包括光學耦合到所述孔和所述次腔體的透鏡，并且其中所述透鏡機械地耦合到所述膜并且響應于所述膜的變形而變形。