[發明專利]雙面直連太陽能電池組件及制備方法在審
| 申請號: | 201810879945.3 | 申請日: | 2018-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN108922934A | 公開(公告)日: | 2018-11-30 |
| 發明(設計)人: | 方結彬;林綱正;陳剛 | 申請(專利權)人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡楓 |
| 地址: | 322009 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池片 太陽能電池組件 觸點 直連 背面電極 正面電極 電池串 主柵 制備 光電轉換效率 觸點連接 電池組件 依次層疊 導電膠 電池片 形成面 長邊 焊帶 排布 涂覆 線損 固化 | ||
1.一種雙面直連太陽能電池組件,包括至少兩個太陽能電池片,所述太陽能電池片依次層疊排布,形成電池串,其特征在于,所述太陽能電池片包括第一太陽能電池片;
所述第一太陽能電池片包括第一正面電極和第一背面電極,所述第一正面電極、第一背面電極均設有橫向主柵和觸點,所述觸點設于橫向主柵的端部;
相鄰的太陽能電池片的長邊重疊,形成面接觸;
相鄰的太陽能電池片通過觸點連接,并通過在觸點上涂覆導電膠,經固化形成電池串。
2.如權利要求1所述雙面直連太陽能電池組件,其特征在于,所述太陽能電池片為經過處理后的整片硅片。
3.如權利要求2所述雙面直連太陽能電池組件,其特征在于,所述處理依次包括:在整片硅片的正背面形成絨面、擴散形成PN結、摻雜、背面拋光、正背面沉積鈍化膜、背面開槽、印刷正面電極和背面電極、燒結、抗LID退火、分檔測試。
4.如權利要求1、2或3所述雙面直連太陽能電池組件,其特征在于,所述第一太陽能電池片的正面橫向主柵和背面橫向主柵上設有觸點,所述觸點設于橫向正面主柵的端部;
每一太陽能電池片的正面橫向主柵的觸點設于前一片太陽能電池片的背面,與前一片太陽能電池片的背面橫向主柵的觸點連接。
5.如權利要求4所述雙面直連太陽能電池組件,其特征在于,所述觸點為圓形觸點、矩形觸點、正多邊形觸點或線形觸點。
6.如權利要求1所述雙面直連太陽能電池組件,其特征在于,所述太陽能電池片還包括第二太陽能電池片,第二太陽能電池片包括第二正面電極和第二背面電極,所述第二正面電極、第二背面電極均設有橫向主柵,所述第二正面電極、第二背面電極中的至少之一設有縱向主柵,所述縱向主柵與橫向主柵連接。
7.如權利要求6所述雙面直連太陽能電池組件,其特征在于,所述太陽能電池片包括第二太陽能電池片A、第二太陽能電池片B和第一太陽能電池片;
所述第二太陽能電池片A的正面電極包括多條橫向正面主柵、1條縱向正面主柵和多條正面副柵,背面電極包括多條橫向背面主柵、設于橫向背面主柵端部的觸點和多條背面副柵;
所述第二太陽能電池片B的正面電極包括多條橫向正面主柵、設于橫向正面主柵端部的觸點和多條正面副柵,背面電極包括多條橫向背面主柵、1條縱向背面主柵和多條背面副柵;
所述第一太陽能電池片的正面電極包括多條橫向正面主柵、設于橫向正面主柵端部的觸點和多條正面副柵,背面電極包括多條橫向背面主柵、設于橫向背面主柵端部的觸點和多條背面副柵;
第二太陽能電池片A、第一太陽能電池片、第二太陽能電池片B依次層疊連接。
8.如權利要求1所述雙面直連太陽能電池組件,其特征在于,所述觸點的寬度比橫向主柵的寬度至少大20%。
9.一種如權利要求1-8任一項所述的雙面直連太陽能電池組件的制備方法,其特征在于,包括:
(1)在硅片進行預處理,并在硅片表面印刷正面電極和背面電極,烘干,得到太陽能電池片;
(2)對太陽能電池片進行高溫燒結,使漿料固化;
(3)對太陽能電池片進行抗LID退火,并分檔測試;
(4)在觸點上印刷導電膠;
(5)將太陽能電池片逐個沿著觸點所在的邊層疊排布,相鄰的太陽能電池片觸點連接,形成電池串;
(6)對電池串進行加熱固化,并封裝成雙面直連組件。
10.如權利要求9所述雙面直連太陽能電池組件的制備方法,其特征在于,對硅片進行預處理,所述預處理包括:
(1.1)在硅片正面和背面形成絨面;
(1.2)在硅片正面進行高方阻擴散,形成PN結;
(1.3)對硅片正面進行選擇性激光摻雜;
(1.4)去除擴散過程形成的副產物和周邊PN結,并對硅片背面進行拋光;
(1.5)在硅片背面沉積鈍化膜和保護膜;
(1.6)在硅片正面沉積鈍化膜和減反膜;
(1.7)對硅片背面的鈍化膜和保護膜進行激光開槽。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





