[發明專利]貫孔單面疊瓦太陽能電池組件及制備方法在審
| 申請號: | 201810879906.3 | 申請日: | 2018-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN109037365A | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發明(設計)人: | 方結彬;林綱正;陳剛 | 申請(專利權)人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡楓 |
| 地址: | 322009 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池片 主柵 貫穿孔 太陽能電池組件 貫孔 正面電極 制備 光電轉換效率 背面電場 電池組件 工藝步驟 燒結 工藝流程 電池串 隔離帶 形成面 隔斷 副柵 漿料 灌注 | ||
1.一種貫孔單面疊瓦太陽能電池組件,包括至少兩個太陽能電池片,所述太陽能電池片依次層疊排布,形成疊瓦電池串,其特征在于,所述太陽能電池片包括正面電極和背面電場,所述正面電極包括正面主柵和正面副柵;
所述太陽能電池片在至少一個正面主柵的位置設有貫穿孔,貫穿孔將正面主柵隔斷,所述太陽能電池片沿著所述貫穿孔的四周設有隔離帶;
相鄰的所述太陽能電池片逐個部分重疊,形成面接觸;
相鄰的所述太陽能電池片通過正面主柵相連,然后對貫穿孔灌注主柵漿料,并通過燒結形成疊瓦電池串。
2.如權利要求1所述貫孔單面疊瓦太陽能電池組件,其特征在于,所述太陽能電池片為硅片預處理后切割形成的分片,每個分片的正面上設有一個正面主柵和多個正面副柵,所述太陽能電池片在正面主柵的位置設有貫穿孔。
3.如權利要求1所述貫孔單面疊瓦太陽能電池組件,其特征在于,所述正面副柵包括第一副柵和第二副柵,所述第二副柵與正面主柵平行設置;
所述太陽能電池片在正面主柵、第二副柵的位置設有貫穿孔,貫穿孔將正面主柵、第二副柵隔斷,所述太陽能電池片的正面和背面沿著所述貫穿孔的四周設有隔離帶;
相鄰的所述太陽能電池片按貫穿孔重合的方式逐個部分重疊,形成面接觸;
相鄰的所述太陽能電池片通過正面主柵電極相連,然后對貫穿孔灌注主柵漿料,并通過燒結形成疊瓦電池串。
4.如權利要求3所述貫孔單面疊瓦太陽能電池組件,其特征在于,所述太陽能電池片為硅片預處理后切割形成的分片,每個分片的正面上設有一個正面主柵、一個第二副柵和多個第一副柵;
所述太陽能電池片在正面主柵、第二副柵的位置設有貫穿孔。
5.如權利要求1所述貫孔單面疊瓦太陽能電池組件,其特征在于,相鄰的所述太陽能電池片通過正面主柵電極相連,每一太陽能電池片的正面主柵設于前一片太陽能電池片的背面。
6.如權利要求1所述貫孔單面疊瓦太陽能電池組件,其特征在于,所述太陽能電池片包括第一太陽能電池片、第二太陽能電池片和第三太陽能電池片;
所述第一太陽能電池片的正面電極包括正面主柵和正面副柵,所述第一太陽能電池片的正面主柵不設有貫穿孔;
所述第二太陽能電池片的正面電極包括正面主柵和正面副柵,所述第二太陽能電池片的正面主柵設有貫穿孔;
所述第三太陽能電池片的正面電極包括正面主柵和正面副柵,背面電場上設有背面主柵,所述第三太陽能電池片的正面主柵設有貫穿孔,且背面主柵不設有貫穿孔;
所述第一太陽能電池片、第二太陽能電池片、第三太陽能電池片依次層疊排布。
7.如權利要求6所述雙面疊瓦太陽能電池組件,其特征在于,所述疊瓦電池串設置為一排或多排疊瓦電池串;
每排疊瓦電池串包括1個第一太陽能電池片、1個或多個第二太陽能電池片、1個第三太陽能電池片;
1個第一太陽能電池片、1個或多個第二太陽能電池片、1個第三太陽能電池片依次層疊排布。
8.如權利要求1所述貫孔單面疊瓦太陽能電池組件,其特征在于,相鄰的太陽能電池片的重疊區域的面積為單片太陽能電池片面積的0.5-20%。
9.一種如權利要求1-8任一項所述的貫孔單面疊瓦太陽能電池組件的制備方法,其特征在于,包括:
(1)在硅片進行預處理,并在硅片表面印刷正面電極、背面電場和背面主柵;
(2)對硅片進行打孔,形成貫穿孔;
(3)對硅片進行切割,形成太陽能電池片;
(4)將太陽能電池片逐個層疊排布,相鄰的所述太陽能電池片逐個部分重疊且通過正面主柵相連,形成疊瓦電池串;
(5)對貫穿孔灌注主柵漿料,烘干;
(6)將疊瓦電池串進行燒結,使漿料固化;
(7)對貫穿孔的周圍進行激光隔離;
(8)對疊瓦電池串進行抗LID退火;
(9)將疊瓦電池串進行分檔測試后,封裝成疊瓦組件。
10.如權利要求9所述貫孔單面疊瓦太陽能電池組件的制備方法,其特征在于,對硅片進行預處理,所述預處理包括:
(1.1)在硅片正面形成絨面;
(1.2)在硅片正面進行高方阻擴散,形成PN結;
(1.3)對硅片正面進行選擇性激光摻雜;
(1.4)去除擴散過程形成的副產物和周邊PN結,并對硅片背面進行拋光;
(1.5)在硅片背面沉積鈍化膜和保護膜;
(1.6)在硅片正面沉積鈍化膜和減反膜;
(1.7)對硅片背面的鈍化膜和保護膜進行激光開槽。
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