[發明專利]硅異質結太陽電池的銅合金電極的制備方法

在審

• 申請號: 201810879560.7
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN110797418A
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 趙曉霞;田宏波;王偉;王雪松;周永謀;王恩宇
• 申請（專利權）人: 國家電投集團科學技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0745
• 代理公司: 11201 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 宋合成

1.一種硅異質結太陽電池的銅合金電極的制備方法，其特征在于，包括：

(1)在第一透明導電氧化物層的上表面沉積形成第一介質薄膜層，在第二透明導電氧化物層的下表面沉積形成第二介質薄膜層；

(2)通過激光刻蝕或者絲網印刷腐蝕性漿料在所述第一介質薄膜層開孔形成至少一個第一電極窗口，在所述第二介質薄膜層開孔形成至少一個第二電極窗口；

(3)在所述第一電極窗口中形成第一金屬種子層，在所述第二電極窗口中形成第二金屬種子層；

(4)在所述第一金屬種子層的上表面依次形成第一金屬銅層和第一金屬錫層，在所述第二金屬種子層的下表面依次形成第二金屬銅層和第二金屬錫層；

(5)將步驟(4)所得樣品進行熱處理，以便制備獲得第一銅合金電極和第二銅合金電極；

其中，所述第一透明導電氧化物層形成在硅異質結結構的上表面，所述第二透明導電氧化物層形成在硅異質結結構的下表面。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介質薄膜層和第二介質薄膜層的厚度為0.01～5μm；

優選地，厚度為0.02-0.5μm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介質薄膜層和第二介質薄膜層的材料包括選自SiNx、SiOx、SiON、Al₂O₃、MgF的至少之一。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過PVD、PECVD、ALD至少之一的方法形成所述第一介質薄膜層和第二介質薄膜層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬種子層和第二金屬種子層的材料包括選自Cu、Ni、Ta、Mo、W、Ti、Cr、Al、Mg、Sn、Zn、Ag的至少之一。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金屬種子層和第二金屬種子層的厚度為5-5000nm；

優選地，厚度為5-500nm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過電鍍、光誘導鍍至少之一的方法形成所述第一金屬種子層和第二金屬種子層。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，通過電鍍、化學鍍、光誘導鍍至少之一的方法形成所述第一金屬銅層、第二金屬銅層、第一金屬錫層和第二金屬錫層。

9.一種硅異質結太陽電池，其特征在于，包括：

硅異質結結構；

第一透明導電氧化物層，所述第一透明導電氧化物層形成在所述硅異質結結構的上表面；

第二透明導電氧化物層，所述第二透明導電氧化物層形成在所述硅異質結結構的下表面；以及

第一銅合金電極和第二銅合金電極；

其中，所述第一銅合金電極和/或第二銅合金電極是通過權利要求1～8任一項所述的方法形成的。

10.根據權利要求9所述的電池，其特征在于，所述硅異質結結構包括：

n型晶硅襯底；

第一輕摻雜n型非晶硅層，所述第一輕摻雜n型非晶硅層形成在所述n型晶硅襯底的上表面，優選地，摻雜濃度為10⁸-10¹⁷/cm³；

第二輕摻雜n型非晶硅層，所述第二輕摻雜n型非晶硅層形成在所述n型晶硅襯底的下表面，優選地，摻雜濃度為10⁸-10¹⁷/cm³；

重摻雜p型非晶硅發射極層，所述重摻雜p型非晶硅發射極層形成在所述第一輕摻雜n型非晶硅層的上表面；

重摻雜n型非晶硅背場層，所述重摻雜n型非晶硅背場層形成在所述第二輕摻雜n型非晶硅層的下表面。