[發(fā)明專利]半導體器件與其制作方法、集成芯片與其制作工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810879487.3
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN109100879A
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李彬;唐波;李志華;張鵬;余金中
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G02F1/00
• 分類號: G02F1/00;G02F1/01
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;霍文娟

本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件與其制作方法、集成芯片與其制作工藝。該半導體器件的制作方法包括：步驟S1，在基底的表面上間隔設(shè)置兩個接觸電極；步驟S2，在各接觸電極的遠離基底的表面上以及兩個接觸電極之間的基底的表面上設(shè)置加熱電極，各接觸電極的遠離基底的表面的部分裸露。該制作方法中，在接觸電極的表面上直接設(shè)置加熱電極，該方法避免了現(xiàn)有技術(shù)中在接觸電極和加熱電極之間設(shè)置通孔連接層，有效減少工藝步驟，減少光刻板層數(shù)，降低流片周期，節(jié)約成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導體領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導體器件與其制作方法、集成芯片與其制作工藝。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，光電子集成芯片中，加熱器的接觸電極和加熱電極之間通常通過金屬通孔電連接，這樣使得光電子集成芯片的工藝流程較復雜，效率較低。

在背景技術(shù)部分中公開的以上信息只是用來加強對本文所描述技術(shù)的背景技術(shù)的理解，因此，背景技術(shù)中可能包含某些信息，這些信息對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說并未形成在本國已知的現(xiàn)有技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的主要目的在于提供一種半導體器件與其制作方法、集成芯片與其制作工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中光電子集成芯片的工藝流程較復雜，流片周期較長的問題。

為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種半導體器件的制作方法，該制作方法包括：步驟S1，在基底的表面上間隔設(shè)置兩個接觸電極；步驟S2，在各上述接觸電極的遠離上述基底的表面上以及兩個上述接觸電極之間的上述基底的表面上設(shè)置加熱電極，各上述接觸電極的遠離上述基底的表面的部分裸露。

進一步地，上述基底的形成過程包括：提供包括依次疊置設(shè)置的襯底、隔離層和波導層的預基底，上述波導層的材料的折射率大于上述隔離層的材料的折射率；對上述波導層進行刻蝕，形成波導；在上述波導的裸露表面上以及上述波導兩側(cè)的上述隔離層的裸露表面上設(shè)置包層，形成上述基底，上述包層的材料的折射率小于上述波導的材料的折射率，上述接觸電極設(shè)置在上述波導兩側(cè)的上述包層的遠離上述襯底的表面上。

進一步地，上述隔離層的材料和/或上述包層的材料包括SiO₂。

進一步地，上述波導層的材料包括Si、Si₃N₄與SiOH中的至少一種。

進一步地，上述步驟S2包括：在上述接觸電極的遠離上述基底的表面上以及兩個上述接觸電極之間的上述基底的表面上設(shè)置加熱電極層；去除各上述接觸電極表面上的部分加熱電極層，且剩余的上述接觸電極表面上的部分上述加熱電極層和兩個上述接觸電極之間的部分上述加熱電極層連接在一起，使得上述接觸電極的遠離所屬基底的部分表面裸露，剩余的上述加熱電極層形成上述加熱電極。

進一步地，在上述步驟S2之后，上述制作方法還包括：在上述加熱電極的遠離上述基底的表面上、裸露的上述基底的表面上以及裸露的上述接觸電極的表面上設(shè)置保護層；刻蝕去除位于上述接觸電極表面上的部分上述保護層，使得各上述接觸電極的遠離上述基底的表面的部分裸露，剩余的上述保護層形成保護部。

進一步地，上述步驟S2包括：在上述接觸電極的遠離上述基底的表面上以及兩個上述接觸電極之間的上述基底的表面上設(shè)置加熱電極層；在上述加熱電極層的遠離上述基底的表面上以及裸露的上述基底的表面上設(shè)置保護層；刻蝕去除部分上述保護層和部分上述加熱電極層，使得各上述接觸電極的遠離上述基底的表面的部分裸露，且剩余的上述接觸電極表面上的部分上述加熱電極層和兩個上述接觸電極之間的部分上述加熱電極層連接在一起，剩余的上述加熱電極層形成上述加熱電極，剩余的上述保護層形成保護部。

進一步地，上述加熱電極的厚度在2～200nm之間。

進一步地，上述加熱電極的材料包括Al、Ti、TiN、W與TaN中的至少一種，上述接觸電極的材料包括AlCu、AlSi與Cu中的至少一種。