[發明專利]一種LED封裝結構及其制造方法在審
| 申請號: | 201810879405.5 | 申請日: | 2018-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN109390456A | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發明(設計)人: | 潘科豪;周圣偉;藍逸生;周嘉峰;謝忠全;潘人豪;楊皓宇;康桀侑;曾子倫 | 申請(專利權)人: | 億光電子工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/54 | 分類號: | H01L33/54;H01L33/44;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 文小莉;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光芯片 發光元件 發光裝置 遮蔽層 底面 芯片級封裝 發光效率 發光顏色 電極組 藍光 制造 側面 | ||
1.一種LED封裝結構,其特征在于,包括:
一芯片級封裝CSP發光元件,所述CSP發光元件包括一發光芯片,所述發光芯片包括位于所述發光芯片的底面的電極組;
一遮蔽層,所述遮蔽層設置在所述CSP發光元件的底面或側面,或所述遮蔽層設置在所述CSP發光元件的底面及側面。
2.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述CSP發光元件還包括:
一圍繞結構,所述圍繞結構圍設在所述發光芯片的側面上;
一波長轉換層,所述波長轉換層設置在所述發光芯片的上表面以及所述圍繞結構上,
且所述波長轉換層與所述圍繞結構之間的交界面形成一弧形結構。
3.根據權利要求2所述的LED封裝結構,其特征在于,所述弧形結構的一端與所述波長轉換層的頂面實質上平齊,另一端延伸到所述發光芯片的上表面的外沿處。
4.根據權利要求2所述的LED封裝結構,其特征在于,所述弧形結構的一端與所述波長轉換層的頂面實質上平齊,另一端延伸到所述發光芯片的側面上。
5.根據權利要求2所述的LED封裝結構,其特征在于,所述弧形結構為向上彎曲的凸面,或者,
所述弧形結構為向下彎曲的凹面。
6.根據權利要求2所述的LED封裝結構,其特征在于,還包括:
透明封裝層,所述透明封裝層設置在所述波長轉換層上,且所述波長轉換層與所述透明封裝層之間的接觸面為向上凸起或向下凹的弧形面。
7.根據權利要求6所述的LED封裝結構,其特征在于:所述透明封裝層中分散有擴散粉。
8.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述遮蔽層設置在所述發光芯片的底面。
9.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述遮蔽層設置在所述電極組上。
10.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述CSP發光元件包括一圍繞結構,所述圍繞結構圍設在所述發光芯片的側面上;且所述遮蔽層設置在所述圍繞結構的底面或至少部分側面上,或所述遮蔽層設置在所述圍繞結構的底面及至少部分側面上。
11.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述CSP發光元件包括一波長轉換層,且所述遮蔽層的側面與所述波長轉換層的側面實質上共平面。
12.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述CSP發光元件包括一波長轉換層,且所述遮蔽層設置在所述波長轉換層的側面上。
13.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述CSP發光元件包括一圍繞結構,所述圍繞結構圍設在所述發光芯片的側面上;所述CSP發光元件包括一波長轉換層;且所述遮蔽層設置在所述波長轉換層的側面以及所述圍繞結構的側面和底面上。
14.根據權利要求11~13任一所述的LED封裝結構,其特征在于,所述波長轉換層為熒光膠層、熒光貼片或熒光薄膜與透明膠的組合。
15.根據權利要求10或13任一所述的LED封裝結構,其特征在于,所述圍繞結構的材料為以硅膠或環氧樹脂為基底并摻雜有二氧化鈦、二氧化硅、氧化鋯、氮化硼其中之一或其組合。
16.根據權利要求1所述的LED封裝結構,其特征在于,所述遮蔽層的材質為金屬材質、不透光絕緣材質、低透光的絕緣材質、絕緣膠、絕緣漆或低透光陶瓷材料。
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