[發(fā)明專(zhuān)利]具有受限尺寸的非易失性存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810879079.8
• 申請(qǐng)日: 2018-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109427393B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F·塔耶特;M·巴蒂斯塔
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/02
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種存儲(chǔ)器設(shè)備，包括：

存儲(chǔ)器平面，包括第一導(dǎo)電類(lèi)型的一系列相鄰半導(dǎo)體凹槽，其中每個(gè)半導(dǎo)體凹槽容納包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元的多個(gè)存儲(chǔ)器字，其中每個(gè)存儲(chǔ)器單元包括具有浮置柵極和控制柵極的狀態(tài)晶體管；以及

多個(gè)控制柵極選擇晶體管，所述多個(gè)控制柵極選擇晶體管分別被分配給所述多個(gè)存儲(chǔ)器字中的每個(gè)存儲(chǔ)器字，其中每個(gè)控制柵極選擇晶體管被耦合到所述控制柵極選擇晶體管被分配給的存儲(chǔ)器字的所述狀態(tài)晶體管的所述控制柵極，其中每個(gè)控制柵極選擇晶體管位于如下半導(dǎo)體凹槽的相鄰半導(dǎo)體凹槽中和所述相鄰半導(dǎo)體凹槽上，該半導(dǎo)體凹槽容納所述控制柵極選擇晶體管被分配給的所述存儲(chǔ)器字。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)器設(shè)備包括電可擦可編程非易失性存儲(chǔ)器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中所述一系列相鄰半導(dǎo)體凹槽包括所述第一導(dǎo)電類(lèi)型的相互絕緣的相鄰半導(dǎo)體凹槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，還包括與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型相反的第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體阱，并且所述半導(dǎo)體阱被配置為將直接相鄰的半導(dǎo)體凹槽橫向絕緣。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，還包括所述第二導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體埋層，所述半導(dǎo)體埋層被配置為將每個(gè)半導(dǎo)體凹槽與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體下方襯底的剩余部分豎直絕緣。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，還包括導(dǎo)電軌道，所述導(dǎo)電軌道將每個(gè)控制柵極選擇晶體管耦合到所述控制柵極選擇晶體管被分配給的所述存儲(chǔ)器字的所述狀態(tài)晶體管的所述控制柵極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中每個(gè)導(dǎo)電軌道在產(chǎn)生于容納所述存儲(chǔ)器字的所述半導(dǎo)體凹槽中的至少一個(gè)控制柵極選擇晶體管上方經(jīng)過(guò)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中在每個(gè)半導(dǎo)體凹槽中，所述控制柵極選擇晶體管被一起分組成N個(gè)控制柵極選擇晶體管的組，并且被分別分配給屬于同一半導(dǎo)體凹槽的N個(gè)存儲(chǔ)器字。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中所述一系列相鄰半導(dǎo)體凹槽包括交替的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽被相互電耦合并且所述第二凹槽被相互電耦合。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)器字以行和列被布置在所述存儲(chǔ)器平面中，其中同一行的所述存儲(chǔ)器字中的一半存儲(chǔ)字形成偶數(shù)頁(yè)面，并且所述同一行的所述存儲(chǔ)器字中的另一半存儲(chǔ)器字形成奇數(shù)頁(yè)面，其中所述偶數(shù)頁(yè)面產(chǎn)生在所述第一凹槽中并且所述奇數(shù)頁(yè)面產(chǎn)生在所述第二凹槽中，并且其中所述存儲(chǔ)器設(shè)備是按頁(yè)面方式可存取的。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，還包括擦除電路，所述擦除電路被配置為通過(guò)以下來(lái)擦除所選擇的存儲(chǔ)器字的存儲(chǔ)器單元：經(jīng)由被分配給所述所選擇的存儲(chǔ)器字的所述控制柵極選擇晶體管的導(dǎo)電端子，將擦除電壓施加到所述所選擇的存儲(chǔ)器字的所述存儲(chǔ)器單元的所述狀態(tài)晶體管的所述控制柵極，以及在包含所述控制柵極選擇晶體管的所述半導(dǎo)體凹槽中施加第一補(bǔ)償電壓，所述第一補(bǔ)償電壓適于防止所述控制柵極選擇晶體管與包含所述控制柵極選擇晶體管的凹槽之間的結(jié)擊穿。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中每個(gè)存儲(chǔ)器單元包括與所述存儲(chǔ)器單元的所述狀態(tài)晶體管串聯(lián)耦合的存取晶體管，所述存儲(chǔ)器設(shè)備還包括編程電路，所述編程電路被配置為通過(guò)以下來(lái)對(duì)屬于所選擇的存儲(chǔ)器字的所選擇的存儲(chǔ)器單元編程：將編程電壓施加到所述所選擇的存儲(chǔ)器單元的所述存取晶體管的導(dǎo)電端子，以及在包含所述所選擇的存儲(chǔ)器字的所述半導(dǎo)體凹槽中施加第二補(bǔ)償電壓，所述第二補(bǔ)償電壓適于防止所述存取晶體管與包含所述所選擇的存儲(chǔ)器字的凹槽之間的結(jié)擊穿。