[發明專利]一種單層和雙層可逆調控的氧化鈰單晶納米薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201810878920.1 | 申請日： | 2018-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN110791809B | 公開（公告）日： | 2021-01-05 |
| 發明（設計）人： | 楊帆;張毅;包信和 | 申請（專利權）人： | 中國科學院大連化學物理研究所 |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;C30B29/64;C30B23/00;C30B33/02;C23C14/08;C23C14/30 |
| 代理公司： | 大連東方專利代理有限責任公司 21212 | 代理人： | 毛薇;李馨 |
| 地址： | 116000 遼寧*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單層 雙層 可逆 調控 氧化 鈰單晶 納米 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種鉑-氧化鈰納米催化劑的制備方法，所述鉑為Pt(111)單晶，氧化鈰沉積于Pt(111)單晶表面，所述氧化鈰單晶為單層或雙層，其特征在于：具有還原的單層氧化鈰的鉑-氧化鈰納米催化劑的制備方法包括如下步驟：
(1)提供一個原子級干凈平整的單晶Pt(111)襯底；
(2)將經步驟(1)處理的Pt(111)襯底維持在-200～400℃，并在氧氣氣氛中經Ce蒸發源將Ce沉積到Pt(111)單晶表面；
(3)在一氧化碳氣氛中對任意0.3～1單層當量CeO2進行退火，退火溫度為300～700℃。
2.一種鉑-氧化鈰納米催化劑的制備方法，所述鉑為Pt(111)單晶，氧化鈰沉積于Pt(111)單晶表面，所述氧化鈰單晶為單層或雙層，其特征在于：具有氧化的單層氧化鈰的鉑-氧化鈰納米催化劑的制備方法包括如下步驟：
(1)提供一個原子級干凈平整的單晶Pt(111)襯底；
(2)將經步驟(1)處理的Pt(111)襯底維持在-200～400℃，并在氧氣氣氛中經Ce蒸發源將Ce沉積到Pt(111)單晶表面；
(3)在一氧化碳氣氛中對任意0.3～1單層當量CeO2進行退火，退火溫度為300～700℃；
(4)在氧氣氣氛中對步驟(3)制得的納米催化劑樣品退火到200～500℃，退火時間控制在15分鐘以內。
3.一種鉑-氧化鈰納米催化劑的制備方法，所述鉑為Pt(111)單晶，氧化鈰沉積于Pt(111)單晶表面，所述氧化鈰單晶為單層或雙層，其特征在于：具有氧化的雙層氧化鈰的鉑-氧化鈰納米催化劑的制備方法包括如下步驟：
(1)提供一個原子級干凈平整的單晶Pt(111)襯底；
(2)將經步驟(1)處理的Pt(111)襯底維持在-200～400℃，并在氧氣氣氛中經Ce蒸發源將Ce沉積到Pt(111)單晶表面；
(3)在一氧化碳氣氛中對任意0.3～1單層當量CeO2進行退火，退火溫度為300～700℃；
(4)在氧氣氣氛中對步驟(3)制得的納米催化劑樣品退火到200～500℃，退火時間控制在15分鐘以內；
(5)在氧氣氣氛中對步驟(4)制得的納米催化劑樣品退火到500～600℃，退火時間控制在15分鐘及以上。
4.一種鉑-氧化鈰納米催化劑的制備方法，所述鉑為Pt(111)單晶，氧化鈰沉積于Pt(111)單晶表面，所述氧化鈰單晶為單層或雙層，其特征在于：具有氧化的雙層氧化鈰的鉑-氧化鈰納米催化劑的制備方法包括如下步驟：
(1)提供一個原子級干凈平整的單晶Pt(111)襯底；
(2)將經步驟(1)處理的Pt(111)襯底維持在-200～400℃，并在氧氣氣氛中經Ce蒸發源將Ce沉積到Pt(111)單晶表面；
(3)在一氧化碳氣氛中對任意0.3～1單層當量CeO2進行退火，退火溫度為300～700℃；
(4)在氧氣氣氛中對步驟(3)制得的納米催化劑樣品退火到500～600℃，退火時間控制在15分鐘及以上。
5.根據權利要求3或4所述的鉑-氧化鈰納米催化劑的制備方法，雙層氧化鈰轉換為單層氧化鈰的方法為：
(a)在一氧化碳氣氛中對具有氧化的雙層氧化鈰的鉑-氧化鈰納米催化劑進行退火，退火溫度為300～700℃；
(b)在氧氣氣氛中對經步驟(a)處理的納米催化劑退火到200～500℃，退火時間控制在15分鐘以內，得具有氧化的單層氧化鈰的鉑-氧化鈰納米催化劑。
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