[發明專利]半導體封裝組件及其形成方法

有效

• 申請號: 201810878400.0
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN109411463B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 張嘉誠;彭逸軒;林子閎
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/535;H01L21/60;H01L21/78
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種半導體封裝組件，其特征在于，包括：

半導體晶粒和第一存儲器晶粒，設置在基板的第一表面上，其中所述第一存儲器晶粒包括面向所述半導體晶粒的第一邊緣，并且所述半導體晶粒包括：

外圍區域，具有面向所述第一存儲器晶粒的第一邊緣的第二邊緣和與所述第二邊緣相對的第三邊緣；以及

電路區域，由所述外圍區域圍繞，其中所述電路區域具有與所述第二邊緣相鄰的第四邊緣和與所述第三邊緣相鄰的第五邊緣，

其中，所述第二邊緣和所述第四邊緣之間的距離為第一距離，所述第三邊緣和所述第五邊緣之間的距離為第二距離，所述第一距離不同于所述第二距離。

2.如權利要求1所述的半導體封裝組件，其特征在于，還包括：

第二存儲器晶粒，設置于所述基板的第一表面上，其中所述第一存儲器晶粒的寬度與所述第二存儲器晶粒的寬度相同；所述第二存儲器晶粒包括面向所述第二邊緣的第六邊緣，所述第二邊緣位于所述第四邊緣與所述第二存儲器晶粒的第六邊緣之間。

3.如權利要求2所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述第一邊緣和所述第二邊緣之間的距離與所述第六邊緣和所述第二邊緣之間的距離相同。

4.一種半導體封裝組件，其特征在于，包括：

半導體晶粒和存儲器晶粒，設置在中間層的第一表面上，其中所述半導體晶粒包括：

外圍區域，具有面向所述存儲器晶粒的第一邊緣和與所述第一邊緣相對的第二邊緣；以及

電路區域，由所述外圍區域圍繞，其中所述電路區域具有與存儲器晶粒相鄰的第三邊緣和與第三邊緣相對的第四邊緣，

其中所述第一邊緣和所述第三邊緣之間的第一距離不同于所述第二邊緣和所述第四邊緣之間的第二距離，

其中所述第一邊緣和所述第二邊緣之間的第三距離大于所述第三邊緣和所述第四邊緣之間的第四距離。

5.如權利要求4所述的半導體封裝組件，其特征在于，還包括：

多個第一導電結構，設置在所述中間層上，其中所述半導體晶粒和所述存儲器晶粒通過所述第一導電結構電連接到所述中介層；以及

第一底部填充層，插入在所述中間層的第一表面與所述半導體晶粒和所述存儲器晶粒之間，其中所述第一底部填充層圍繞所述第一導電結構。

6.如權利要求5所述的半導體封裝組件，其特征在于，所述第一底部填充層的一部分隔開所述半導體晶粒與所述存儲器晶粒。

7.如權利要求6所述的半導體封裝組件，其特征在于，還包括：

模塑料，圍繞所述第一底部填充層，所述半導體晶粒和所述存儲器晶粒，其中所述模塑料覆蓋所述半導體晶粒的外圍區域的第二邊緣。

8.一種半導體封裝組件，其特征在于，包括：

半導體晶粒，第一存儲器晶粒和第二存儲器晶粒，設置在基板的第一表面上，其中所述第一存儲器晶粒和第二存儲器晶粒至少設置在所述半導體晶粒的相對的兩側，所述第一存儲器晶粒包括面向所述半導體晶粒的第一邊緣，所述第二存儲器晶粒包括面向所述半導體晶粒的第二邊緣，并且所述半導體晶粒包括：

外圍區域，具有面向所述第一存儲器晶粒的第一邊緣的第三邊緣，面向所述第一存儲器晶粒的第二邊緣的第四邊緣；以及

電路區域，由所述外圍區域圍繞，其中所述電路區域具有與所述第三邊緣相鄰的第五邊緣和與所述第四邊緣相鄰的第六邊緣，

其中，所述第三邊緣和所述第五邊緣之間的距離為第一距離，所述第四邊緣和所述第六邊緣之間的距離為第二距離，所述第一距離與所述第二距離相同或不同。