[發明專利]一種高速率去硅的蝕刻裝置及蝕刻方法

在審

• 申請號: 201810877701.1
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN108962797A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 吳楚鴻;李緯;陳巧銀;黃澤杭;羅桂容;徐樂山
• 申請（專利權）人: 深圳市翰博士科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/3065
• 代理公司: 北京匯捷知識產權代理事務所(普通合伙) 11531
• 代理人: 馬金華

1.一種高速率去硅的蝕刻裝置，包括支撐架(1)、支撐架(1)下端所設的底板(2)、支撐架(1)上端所設的頂板(3)、頂板(3)下端所設的下壓座(6)、下壓座(6)下端所設的蝕刻板(9)、底板(2)上端所設的彈性支撐版(7)與彈性支撐版(7)上端所設的硅晶片托盤(8)，其特征在于：所述支撐架(1)的主體為C形板狀結構，且在支撐架(1)的下端設有方形板狀結構的底板(2)，所述底板(2)的上端設有方形槽體結構的安裝槽I(201)，且在安裝槽I(201)的槽底向底板(2)的下端面引有圓柱形孔狀結構的通氣孔I(203)，所述底板(2)上端面的四角處對稱設有四個圓柱形結構的導向銷I(202)，所述安裝槽I(201)內插配有方形板狀結構的彈性支撐版(7)，所述彈性支撐版(7)的上端設有方形槽體結構的安裝槽III(701)，且在安裝槽III(701)內插配有方形板狀結構的硅晶片托盤(8)；

所述支撐架(1)的上端設有方形板狀結構的頂板(3)，且在頂板(3)的中間設有方形凸臺結構的安裝板(301)，所述安裝板(301)的上端匹配安裝有液壓缸(5)，所述安裝板(301)的兩側對稱設有兩個圓柱形孔狀結構的導向孔(302)，所述液壓缸(5)下端的活塞桿貫穿于頂板(3)的上下兩端面并且與下壓座(6)匹配連接在一起，所述下壓座(6)的主體為方形板狀結構的下壓板(601)，且在下壓板(601)上端面中心位置的兩側對稱設有兩個與導向孔(302)相滑動套配的圓柱形結構的導向柱(602)，所述下壓板(601)上端面的四個對角處對稱設有兩個氣泵(605)與兩個氣瓶(607)，所述氣瓶(607)的上端與氣泵(605)通過氣管相連通，且兩個氣瓶(607)的上端同樣通過氣管相連通，并且在此氣管中間配設有過濾器(608)，所述下壓板(601)的四角位置處對稱設有四個與導向銷I(202)相套配的圓柱形孔狀結構的導向孔II(603)，且在下壓板(601)的下端面上設有十字形槽體結構的安裝槽II(609)，所述安裝槽II(609)槽底的中間向下壓板(601)的上端面引有兩個對稱設置的圓柱形孔狀結構的過孔I(604)，所述安裝槽II(609)槽底的對角位置處對稱設有兩個圓柱形結構的導向銷II(610)，所述安裝槽II(609)內插配有方形板狀結構的蝕刻板(9)。

2.根據權利要求1所述的一種高速率去硅的蝕刻裝置，其特征在于：所述底板(2)下端面的四角位置處對稱設有四個圓柱形結構的支撐腳(4)，且在底板(2)底面的中間位置處設有與通氣孔I(203)相連通的真空泵(10)。

3.根據權利要求1所述的一種高速率去硅的蝕刻裝置，其特征在于：所述彈性支撐版(7)的下端設有與安裝槽I(201)相插配的方形凸臺結構的定位凸臺(703)，且在安裝槽III(701)的槽底均布設有圓柱形孔狀結構的通氣孔II(704)，所述通氣孔II(704)與安裝槽I(201)底部的通氣孔I(203)相連通，所述彈性支撐版(7)四角位置處對稱式設有四個與導向銷I(202)相套配的圓柱形孔狀結構的導向孔III(702)。

4.根據權利要求1所述的一種高速率去硅的蝕刻裝置，其特征在于：所述硅晶片托盤(8)的上端面上設有槽體結構的定位槽(801)，所述硅晶片托盤(8)厚度方向的中間位置處設有方形腔體結構的連接腔I(803)，所述連接腔I(803)與定位槽(801)的槽底通過圓柱形孔狀結構的通氣孔III(802)相連通，所述硅晶片托盤(8)的底部向連接腔I(803)內引有圓柱形孔狀結構的(通氣孔V804)，且(通氣孔V 804)與安裝槽III(701)底部的通氣孔II(704)相連通。