[發明專利]改進的鍺蝕刻系統和方法

在審

• 申請號: 201810877233.8
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN109390228A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: M·科羅利克;N·英格爾;D·基歐西斯
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 楊學春;侯穎媖

1.一種蝕刻含鍺材料的方法，所述方法包括：

在半導體處理腔室的遠程等離子體區域中形成含氟前驅物的等離子體；

使所述含氟前驅物的等離子體流出物流過腔室部件中限定的孔，其中所述孔被涂覆有催化材料；

用所述催化材料來降低所述等離子體流出物中的氟自由基的濃度；

將所述等離子體流出物遞送到所述半導體處理腔室的處理區域，其中包含含鍺材料的基板被容置在所述處理區域中；以及

蝕刻所述含鍺材料。

2.如權利要求1所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述催化材料包括一種或多種材料，所述一種或多種材料包括選自由以下項組成的群組中的元素：鎳、鈷、釩、鈮、鉭、鉻、錳、錸、鐵、釕、鋨、鈀、鉑、銠和銥。

3.如權利要求1所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述腔室部件維持在高于約70℃的溫度下。

4.如權利要求1所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述基板維持在低于約30℃的溫度下。

5.如權利要求1所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述含鍺材料包括SiGe。

6.如權利要求1所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述含鍺材料是第一含鍺材料，其中所述第一含鍺材料相對于硅或第二含鍺材料被蝕刻，并且其中所述第二含鍺材料由比所述第一含鍺材料低的鍺濃度來表征。

7.如權利要求6所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述蝕刻具有相對于所述硅或所述第二含鍺材料大于或為約300:1的面向于所述第一含鍺材料的選擇性。

8.如權利要求1所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述處理腔室內的壓力被維持為高于約2Torr。

9.如權利要求1所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述腔室部件包括噴頭或離子抑制器。

10.一種蝕刻含鍺材料的方法，所述方法包括：

在半導體處理腔室的遠程等離子體區域中形成含氟前驅物的等離子體；

使所述含氟前驅物的等離子體流出物流過包含催化材料的腔室部件；

通過所述催化材料催化轉化所述等離子體流出物中的氟自由基的至少一部分；

將所述等離子體流出物遞送到所述半導體處理腔室的處理區域，其中包含含鍺材料的基板被容置在所述處理區域中；以及

蝕刻所述含鍺材料。

11.如權利要求10所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述轉化包括在所述催化材料上形成包括來自氟自由基的至少兩個氟原子的材料。

12.如權利要求10所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述腔室部件包括遠程等離子體單元遞送管、阻擋板、面板、離子抑制器或噴頭中的一個或多個。

13.如權利要求10所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述催化材料包括一種或多種材料，所述一種或多種材料包括選自由以下項組成的群組中的元素：鎳、鈷、釩、鈮、鉭、鉻、錳、錸、鐵、釕、鋨、鈀、鉑、銠和銥。

14.如權利要求10所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述腔室部件維持在高于約70℃的溫度下。

15.如權利要求10所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述基板維持在低于約30℃的溫度下。

16.如權利要求10所述的蝕刻含鍺材料的方法，其中所述處理腔室內的壓力被維持為在約1Torr與約30Torr之間。