[發(fā)明專利]具有聚合物支座的微型帽式封裝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810877005.0
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號(hào): CN109698680A
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·馬丁;A·巴爾福克內(nèi)希特;N·珀金斯;V·帕蒂爾
• 申請（專利權(quán)）人: 安華高科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/02
• 分類號(hào): H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10;H03H9/17
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

本發(fā)明涉及一種具有聚合物支座的微型帽式封裝。一種設(shè)備包含：襯底；蓋子，其安置于所述襯底上方且包括圍繞所述襯底的周邊安置的桿，所述桿圍住所述蓋子與所述襯底之間的腔；電子裝置，其安置于所述襯底的上表面上方且位于所述腔中；電接觸墊；和電絕緣層，其安置于所述電接觸墊與所述蓋子的上表面之間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明大體來說涉及一種微型帽式封裝，且更特定來說，涉及具有聚合物支座的微型帽式封裝。

背景技術(shù)

電諧振器被廣泛地并入于現(xiàn)代電子裝置中。舉例來說，在無線通信裝置中，在濾波器中使用射頻(RF)諧振器及微波頻率諧振器(例如，濾波器具有串聯(lián)電連接及分流諧振器)，從而形成梯形及網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。濾波器可包含于多路復(fù)用器(例如，雙路復(fù)用器)中，舉例來說，所述多路復(fù)用器連接于天線(或在多輸入多輸出(MIMO)設(shè)計(jì)的情形中，多個(gè)天線)與收發(fā)器之間、用于對通常在預(yù)定無線頻帶內(nèi)的所接收及所發(fā)射信號(hào)進(jìn)行濾波。舉例來說，其中可包含濾波器的其它類型的多路復(fù)用器是雙工器、三工器、四工器、五工器等。多路復(fù)用器介接于天線與各種網(wǎng)絡(luò)中的每一個(gè)之間以能夠在不同發(fā)射(上行鏈路)頻率上發(fā)射信號(hào)且在不同接收(下行鏈路)頻率上接收信號(hào)。與多路復(fù)用器相關(guān)聯(lián)的濾波器通常包含帶通濾波器，所述帶通濾波器提供通帶以通過相對窄的頻帶來使各種所發(fā)射及所接收信號(hào)通過(阻擋具有在通帶之外的頻率的所有信號(hào))。

如將了解，期望減小電子裝置的組件大小。許多已知的濾波技術(shù)給總體系統(tǒng)微型化帶來阻礙。在需要減小組件大小的情況下，已出現(xiàn)基于壓電效應(yīng)的一種類別的諧振器。在基于壓電的諧振器中，在壓電材料中產(chǎn)生聲諧振模式。這些聲波被轉(zhuǎn)換成電波以用于電應(yīng)用中。

一種類型的壓電諧振器是體聲波(BAW)諧振器。BAW諧振器具有大小較小且適用于集成電路(IC)制造工具及技術(shù)的優(yōu)勢。BAW包含聲學(xué)堆棧。聲學(xué)堆棧包含安置于兩個(gè)電極之間的一層壓電材料及其它事物。聲波可跨越聲學(xué)堆棧達(dá)成諧振，其中波的諧振頻率是由聲學(xué)堆棧中的材料確定。

膜體聲諧振器(FBAR)型濾波器是一種類型的BAW濾波器。FBAR技術(shù)的特征在于在Q過頻率、有效耦合系數(shù)kt2及精確頻率控制方面的優(yōu)越性能。這些FBAR性能特性轉(zhuǎn)化成在(低)插入損耗、(令人滿意的)濾波器邊緣處的滾降特性、(最佳)隔離及(最高)非線性性能方面的優(yōu)越產(chǎn)品性能。

FBAR包含夾在兩個(gè)金屬電極(即，頂部金屬電極與底部金屬電極)之間的壓電層。FBAR放置于氣腔上方，且依賴于氣腔封裝技術(shù)來達(dá)成所需的性能特性。因此，位于FBAR下方的氣腔必須穩(wěn)健且決不能干擾諧振器頻率定心、Q值或非線性度。

用于FBAR的已知封裝可包含放置于FBAR及上述形成于FBAR下方的氣腔上方的半導(dǎo)體微型帽蓋子。可通過桿將微型帽蓋子固持于FBAR上方，所述桿由與微型帽蓋子相同的材料形成且與微型帽蓋子晶片是一個(gè)整體。微型帽蓋子是由高電阻率晶片微機(jī)械加工而成的晶片級硅帽(微型帽)。

來自微型帽蓋子晶片/微型帽蓋子的寄生貢獻(xiàn)使所封裝FBAR產(chǎn)品的線性性能特性降級。寄生貢獻(xiàn)由以下因素引起：用于微型帽蓋子的半導(dǎo)體材料(例如，硅)的體導(dǎo)電性及表面電容及反相以及半導(dǎo)體陷獲狀態(tài)的充電及放電。對所述寄生貢獻(xiàn)的以較低代價(jià)提供較高性能的任何解決方案均不應(yīng)干擾FBAR下方的氣腔，也不應(yīng)對頻率定心、Q值或非線性度產(chǎn)生負(fù)面影響。

所需的是至少克服上文所描述的已知封裝結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)的封裝結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一方面涉及一種設(shè)備，該設(shè)備包括：襯底；蓋子，其安置于所述襯底上方且包括圍繞所述襯底的周邊安置的桿，所述桿圍住所述蓋子與所述襯底之間的腔；電子裝置，其安置于所述襯底的上表面上方且在所述腔中；電接觸墊；以及電絕緣層，其安置于所述電接觸墊與所述蓋子的上表面之間。