[發(fā)明專利]納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡、制備方法及深紫外LED

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810876587.0
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN109273582A
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁仁瓅;許琳琳;王昊;陳景文;王帥;陳長清;戴江南
• 申請（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)鄂州工業(yè)技術(shù)研究院;華中科技大學(xué)
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;B82Y40/00
• 代理公司: 北京匯信合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11335
• 代理人: 王秀麗

1.一種納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡的制備方法，其特征在于：具體步驟包括：

(1)覆蓋保護(hù)層：在藍(lán)寶石襯底上蒸鍍二氧化硅保護(hù)層；

(2)光刻：在步驟(1)處理后的所述二氧化硅保護(hù)層的上面旋涂光刻膠，在所述光刻膠上覆蓋帶有微米級直徑陣列孔的光刻板，對所述光刻板進(jìn)行紫外投影曝光；

(3)干法刻蝕保護(hù)層，在CF₄和O₂的混合氣氛中等離子體蝕刻步驟(2)處理后的所述二氧化硅保護(hù)層以使所述二氧化硅上出現(xiàn)陣列孔以至于部分所述藍(lán)寶石襯底曝露出來；

(4)濕法刻蝕藍(lán)寶石襯底，由98％濃硫酸溶液和84％濃磷酸溶液混合蝕刻步驟(3)處理后的所述藍(lán)寶石襯底使得所述藍(lán)寶石襯底上出現(xiàn)陣列結(jié)構(gòu)；

(5)去除保護(hù)層，使用氧等離子體清除步驟(4)處理后的所述藍(lán)寶石襯底上的二氧化硅保護(hù)層得到納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中的陣列孔為三角形陣列孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中的蒸鍍的具體參數(shù)為：蒸鍍厚度范圍為100-300nm，蒸鍍溫度范圍為200-300℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中所述光刻膠的旋涂厚度范圍為600-800nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中紫外投影曝光的具體參數(shù)為：使用發(fā)射波長為365nm的紫外光源進(jìn)行投影曝光，時間范圍為50-70秒。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡的制備方法，其特征在于：所述步驟(4)中刻蝕的具體參數(shù)為：所述濃硫酸與濃磷酸的體積比約為3：1，刻蝕溫度范圍為200-270℃，刻蝕時間范圍為6-14分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡的制備方法，其特征在于：在步驟(5)后面還包括拋光切割：用拋光液拋光步驟(5)得到的納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡，并使用激光切割將所述透鏡分割為多個納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡。

8.一種納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡，其特征在于：根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡的制備方法所制得。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡，其特征在于：所述透鏡中的納米陣列結(jié)構(gòu)具體為納米陣列凹槽，所述凹槽為由截面呈三角形的倒錐和截面呈圓形的錐臺依次順接形成，所述錐臺的錐底半徑呈納米級。

10.一種深紫外LED，其特征在于：包括LED芯片、密封劑及權(quán)利要求8或9所述的納米陣列結(jié)構(gòu)透鏡。