[發明專利]一種陣列基板及顯示面板、顯示裝置有效
| 申請號: | 201810876023.7 | 申請日: | 2018-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN109065582B | 公開(公告)日: | 2022-02-15 |
| 發明(設計)人: | 王國英;宋振 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明實施例提供一種陣列基板及顯示面板、顯示裝置,涉及顯示技術領域,能夠提高顯示面板的開口率;該陣列基板包括設置于襯底基板上的多個自發光單元和感光單元;其中,感光單元位于自發光單元靠近襯底基板的一側,且每一自發光單元均對應設置有一所述感光單元;自發光單元包括沿背離襯底基板方向上依次設置的第一電極、發光功能層、第二電極;第一電極包括:互相連接的透光區和反射區;第二電極為透明電極;自發光單元中,第一電極的透光區與該自發光單元對應設置的感光單元的感光部正對;發光功能層的出射光中,入射至反射區的光線經返射后從第二電極出射,入射至透光區的光線透過該透光區入射至感光單元的感光部,以進行光電感應。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及顯示面板、顯示裝置。
背景技術
顯示裝置的顯示畫面的亮度均勻性作為評價顯示裝置優劣的一個重要參數指標;尤其針對有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡稱OLED)顯示裝置,由于工藝、材料以及設計等方面的原因常常會產生亮度不均的現象,從而造成顯示畫面的質量降低。
對于顯示畫面亮度不均的現象,現有技術中,如圖1所示,一般通過在顯示裝置的蓋板玻璃上對應每一亞像素P中的發光單元的上方制作感光單元200以及相關控制晶體管TFT,以對顯示裝置中的發光單元的亮度進行實時監控,進而通過外部補償的方式,進行實時光學補償。
然而,上述將感光單元200以及相關控制晶體管TFT制作在亞像素P中的發光單元的上方會導致顯示面板的開口率下降,造成顯示面板的光利用率低等弊端。
發明內容
本發明的實施例提供一種陣列基板及顯示面板、顯示裝置,能夠提高顯示面板的開口率。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
本發明實施例提供一種陣列基板,包括設置于襯底基板上的多個自發光單元和感光單元;其中,所述感光單元位于所述自發光單元靠近所述襯底基板的一側,且每一所述自發光單元均對應設置有一所述感光單元;所述自發光單元包括沿背離所述襯底基板方向上依次設置的第一電極、發光功能層、第二電極;所述第一電極包括:互相連接的透光區和反射區;所述第二電極為透明電極;所述自發光單元中,所述第一電極的透光區與該自發光單元對應設置的所述感光單元的感光部正對;所述發光功能層的出射光中,入射至所述反射區的光線經返射后從所述第二電極出射,入射至所述透光區的光線透過該透光區入射至所述感光單元的感光部,以進行光電感應。
可選的,不同的所述自發光單元與不同的所述感光單元一一對應設置。
可選的,所述第一電極包括:沿背離所述襯底基板方向上依次層疊設置透明子電極和反射子電極;其中,所述反射子電極的區域構成所述第一電極的所述反射區;所述透明子電極在所述襯底基板的投影覆蓋所述反射子電極在所述襯底基板的投影覆蓋,所述透明子電極中與所述感光單元的感光部正對的部分,與所述反射子電極不重疊,且該不重疊的區域構成所述第一電極的所述透光區。
可選的,所述陣列基板還包括:第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管;其中,所述第一薄膜晶體管的源極與所述自發光單元的第一電極連接;所述第二薄膜晶體的漏極與所述感光單元連接;所述第一薄膜晶體管的柵極與所述第二薄膜晶體管的柵極同層同材料,所述第一薄膜晶體管的有源層與所述第二薄膜晶體管的有源層同層同材料,所述第一薄膜晶體管的源極和漏極與所述第二薄膜晶體管的源極和漏極同層同材料。
可選的,所述自發光單元為有機發光二極管。
可選的,所述感光單元包括相對設置的第三電極和第四電極,以及位于所述第三電極和所述第四電極之間PIN光電二極管;所述第三電極相對于所述第四電極靠近所述襯底基板;所述第四電極為透明電極,形成所述感光單元的感光部。
可選的,所述第三電極與所述第二薄膜晶體管的漏極連接,且兩者為同層同材料的一體結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





