[發(fā)明專利]AgNR/O-g-C3

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810874980.6
• 申請(qǐng)日: 2018-08-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108982471B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渠陸陸;耿志琴;韓彩芹;王穩(wěn);楊國(guó)海
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇師范大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N21/65
• 分類號(hào): G01N21/65;G01N21/01
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種AgNR/O-g-C₃N₄基底，所述AgNR/O-g-C₃N₄基底由以下方法制備：

S1：將玻璃載片清洗干燥后放在沉積平臺(tái)上；

S2：以玻璃載片為支撐基底，在電子束蒸發(fā)器中，于1×10^-6 Torr真空中，分別沉積鈦膜和銀膜系統(tǒng)；

S3：以沉積角度86°旋轉(zhuǎn)沉積平臺(tái)，沉積銀膜，得AgNR陣列；

S4：將三聚氰胺置于馬弗爐中煅燒，自然冷卻至室溫，得塊狀g-C₃N₄；

S5：將塊狀g-C₃N₄粉碎，放入坩堝煅燒后記為M-O-g-C₃N₄，煅燒M-O-g-C₃N₄得單層O-g-C₃N₄；S6：將單層O-g-C₃N₄通過(guò)超聲處理分散在有機(jī)溶液中，取超聲處理后的O-g-C₃N₄液滴滴在AgNR基底上，烘烤AgNR基底，洗滌，得AgNR/O-g-C₃N₄基底；所述步驟S2具體包括：以玻璃載片為支撐基底，在電子束蒸發(fā)器中，于1×10^-6 Torr的壓力下，以0.2 nm/s速率沉積20 nm的鈦膜，以0.3 nm/s的速率沉積500 nm的銀膜系統(tǒng)；所述步驟S3具體包括：以沉積角度86°旋轉(zhuǎn)沉積平臺(tái)，以0.3 nm/s的速率沉積2000 nm銀膜；所述步驟S4具體包括：將2 g三聚氰胺置于馬弗爐中，以2℃/min的速率升溫至550℃，煅燒4小時(shí)，將煅燒后的三聚氰胺自然冷卻至室溫，得塊狀g-C₃N₄；所述步驟S5具體包括：將500 mg塊狀g-C₃N₄粉碎后，放入坩堝中，以5℃/min的速率升溫至550℃，煅燒1小時(shí)后得黃色樣品，記為M-O-g-C₃N₄，將M-O-g-C₃N₄以2℃/min加熱至550℃，煅燒2 h，得白色樣品，表示為單層O-g-C₃N₄；所述步驟S6具體包括：將1mg單層O-g-C₃N₄通過(guò)2分鐘的超聲分散在5mL異丙醇溶液中，取超聲處理后的80 μL O-g-C₃N₄液滴滴在AgNR基底上，然后將AgNR基底在50 ℃的電加熱板上烘烤10秒，之后用去離子水洗滌AgNR基底三次以上得AgNR/O-g-C₃N₄基底。

2.權(quán)利要求1中所述AgNR/O-g-C₃N₄基底在可循環(huán)SERS靈敏檢測(cè)中的應(yīng)用。