[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810874046.4
• 申請(qǐng)日: 2018-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109037197B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 管斌;金子貴昭;陳世杰;黃曉櫓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/04
• 分類號(hào): H01L25/04;H01L21/56;H01L23/528
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 張小穩(wěn)

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括：

第一晶片，所述第一晶片包括第一襯底和所述第一襯底上的第一絕緣層以及所述第一絕緣層中的第一電連接件；

第二晶片，所述第二晶片包括第二襯底和所述第二襯底上的第二絕緣層以及所述第二絕緣層中的第二電連接件，并且所述第一晶片以所述第一絕緣層面對(duì)所述第二絕緣層的方式接合到所述第二晶片；

從所述第一襯底的與所述第一絕緣層相反的一側(cè)形成硅通孔TSV的第一部分，所述TSV的第一部分與所述第一電連接件的至少一部分以及所述第二電連接件的至少一部分重疊，穿過(guò)所述第一襯底并暴露出所述第一絕緣層的一部分的表面；

形成絕緣膜，所述絕緣膜至少覆蓋所述TSV的第一部分的側(cè)表面和底表面；

在所述絕緣膜上形成第一導(dǎo)電阻擋膜；

去除所述第一導(dǎo)電阻擋膜的一部分，以保留所述TSV的第一部分的側(cè)表面上的所述第一導(dǎo)電阻擋膜；

去除所述TSV的第一部分的底表面處的所述絕緣膜及其下面的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的部分，從而形成暴露所述第一電連接件的至少一部分以及所述第二電連接件的至少一部分的所述TSV的第二部分；

形成填充所述TSV的第一部分和第二部分的導(dǎo)電插塞，以將所述第一電連接件和所述第二電連接件互連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述TSV的第二部分的步驟包括以下步驟：

去除所述TSV的第一部分的底表面處的所述絕緣膜及其下面的所述第一絕緣層的部分，從而形成暴露出所述第一電連接件的至少一部分的所述TSV的第三部分；

去除所述第一絕緣層的與所述第二電連接件的至少一部分重疊的一部分及其下面的所述第二絕緣層的部分，從而形成暴露出所述第二電連接件的至少一部分的所述TSV的第四部分；

其中所述TSV的第三部分和所述TSV的第四部分構(gòu)成所述TSV的第二部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在形成所述TSV的第二部分的步驟之后且在形成所述導(dǎo)電插塞的步驟之前還包括以下步驟：

形成第二導(dǎo)電阻擋膜，所述第二導(dǎo)電阻擋膜在所述TSV的第一部分中覆蓋所述第一導(dǎo)電阻擋膜，并且在所述TSV的第二部分中覆蓋所述TSV的第二部分的側(cè)表面和底表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一晶片是像素晶片，所述像素晶片包括堆疊金屬件，并且所述第一電連接件是所述堆疊金屬件中的頂部金屬件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二晶片是邏輯晶片，所述邏輯晶片包括堆疊金屬件，并且所述第二電連接件是所述堆疊金屬件中的頂部金屬件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，形成所述TSV的第二部分的步驟是通過(guò)等離子體蝕刻過(guò)程來(lái)執(zhí)行的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述絕緣膜是硅的氧化物膜或硅的氮化物膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電阻擋膜和所述第二導(dǎo)電阻擋膜由相同的材料形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電阻擋膜包括Ta/TaN膜。