[發(fā)明專利]一種含有庚嗪環(huán)-吩噁嗪?jiǎn)卧幕衔锛捌鋺?yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810873800.2
• 申請(qǐng)日: 2018-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN108948027A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝再鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞聲科技（南京）有限公司
• 主分類號(hào): C07D487/16
• 分類號(hào): C07D487/16;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種含有庚嗪環(huán)?吩噁嗪?jiǎn)卧幕衔锛捌湓谄骷械膽?yīng)用。本發(fā)明所公開的含有庚嗪環(huán)?吩噁嗪?jiǎn)卧幕衔铮哂型ㄊ?Ⅰ)所示的結(jié)構(gòu)。該類化合物基于庚嗪環(huán)?吩噁嗪骨架，并且其空穴傳輸性能與電子傳輸性能極為匹配，尤其適合作為近紅外發(fā)光材料應(yīng)用于OLED等領(lǐng)域。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種含有庚嗪環(huán)-吩噁嗪?jiǎn)卧幕衔锛捌淦骷?yīng)用。

背景技術(shù)

自1987年柯達(dá)公司C.W.Tang等人首次報(bào)道通過(guò)真空熱蒸鍍方法制備出以Alq₃為發(fā)光材料的雙層器件結(jié)構(gòu)以來(lái)，有機(jī)電致發(fā)光材料就受到人們的極大關(guān)注。如三星的Galaxy系列手機(jī)、S6等都是OLED手機(jī)。2017年，蘋果公司也已經(jīng)采用OLED顯示屏配置在其手機(jī)上。

有機(jī)電致發(fā)光可以分為熒光和磷光電致發(fā)光。根據(jù)自旋量子統(tǒng)計(jì)理論，單重態(tài)激子和三重態(tài)激子的形成概率比例是1:3，即單重態(tài)激子僅占“電子-空穴對(duì)”的25％。因此，來(lái)自于單重態(tài)激子的輻射躍遷的熒光就只占到總輸入能量的25％，而磷光材料的電致發(fā)光就可以通過(guò)重金屬效應(yīng)而利用到全部激子的能量，因而具有更大的優(yōu)越性。

現(xiàn)在的磷光電致發(fā)光器件中大多數(shù)采用主客體結(jié)構(gòu)，即將磷光發(fā)光材料以一定的濃度摻雜到主體材料中，以避免三重態(tài)-三重態(tài)的湮滅，以提高磷光發(fā)光效率。

1999年Forrest和Thompson等[M.A.Baldo,S Lamansky,P.E.Burroes,M.E.Thompson,S.R.Forrest,Appl Phys Let,1999,75,4]將綠光磷光材料Ir(ppy)₃以6wt％的濃度摻雜在4,4’-N,N’-二咔唑-聯(lián)苯(CBP)的主體材料中，并引入了空穴阻擋層材料2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉(BCP)，獲得的綠光OLED最大外部量子效率8％，功率效率達(dá)到31lm/W，均大大超過(guò)電致熒光發(fā)光器件，立即引起人們對(duì)重金屬配合物發(fā)光材料的廣泛關(guān)注。

近年來(lái)，雙極性載流子傳輸?shù)闹黧w材料也有報(bào)道在R&G&B三色OLED器件中使用。Lee等(Lee,Jiun-Haw；Tsai,Hsin-Hun；Leung,Man-Kit；Yang,Chih-Chiang；Chao,Chun-Chieh,Applied Physical Letters,2007,90,243501)，將Ir(ppy)₃以9wt％的濃度摻雜在具有雙極性傳輸?shù)膰f二唑類主體材料2,2’-二-[5-苯基-2-(1,3,4)-噁二唑基]聯(lián)苯(OXD)中，器件的電流效率在亮度為1000nit時(shí)為24cd/A,略小于以CBP為主體的器件。

Adachi等(Jie Li,Hiroko Nomura,Hiroshi Miyazaki,Chem.Commun.,2014,50,6174)，將2,5,8-三(4-氟原子-3-甲基苯基)-1,3,4,67,9,9b-庚嗪環(huán)(HAP-3MF)作為一種電子傳輸體與1,3-二(9H-咔唑基-9-)苯環(huán)(mCP)作為一種綠光激基復(fù)合物發(fā)光材料，在8wt％的摻雜濃度HAP-3MF時(shí)，獲得最大的EQE＝11.3％,要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于單一以CBP作為主體的熒光OLED器件。