[發明專利]一種用于半導體功率器件的終端

在審

• 申請號: 201810873584.1
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN108767002A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 繆志平
• 申請（專利權）人: 盛廷微電子（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/06;H01L29/739
• 代理公司: 東莞市神州眾達專利商標事務所(普通合伙) 44251
• 代理人: 劉漢民

1.一種用于半導體功率器件的終端，其特征在于，包括：

集電極、基區、多個場限環以及多個與所述場限環對應的場板組，所述場板組包括相互電性連接的第一多晶硅場板和金屬場板，所述第一多晶硅場板、所述金屬場板依次位于所述場限環的上方，所述第一多晶硅場板和所述金屬場板均與所述場限環電性連接，所述金屬場板覆蓋所述第一多晶硅場板。

2.根據權利要求1所述的用于半導體功率器件的終端，其特征在于，所述用于半導體功率器件的終端還包括第二多晶硅場板，所述第二多晶硅場板位于所述場限環和所述金屬場板之間，且所述金屬場板僅部分覆蓋所述第二多晶硅場板。

3.根據權利要求2所述的用于半導體功率器件的終端，其特征在于，所述第二多晶硅場板與所述第一多晶硅場板位于同一層，且所述第二多晶硅場板與所述第一多晶硅場板之間間隔設置。

4.根據權利要求2所述的用于半導體功率器件的終端，其特征在于，所述金屬場板的第一部分部分覆蓋所述第二多晶硅場板，且所述金屬場板的第一部分為所述金屬場板中遠離所述金屬場板和所述場限環的連接處的部分。

5.根據權利要求2所述的用于半導體功率器件的終端，其特征在于，所述金屬場板覆蓋所述第二多晶硅場板的一半。

6.根據權利要求1所述的用于半導體功率器件的終端，其特征在于，所述第一多晶硅場板和所述場限環之間設置有場氧化層，所述場氧化層上設置有第一過孔，所述第一多晶硅場板通過所述第一過孔與所述場限環電性連接。

7.根據權利要求6所述的用于半導體功率器件的終端，其特征在于，所述第一多晶硅場板和所述金屬場板之間以及所述金屬場板與未被所述第一多晶硅場板和所述場氧化層覆蓋的場限環之間均設置有介質層，所述介質層上設置有第二過孔，所述金屬場板通過所述第二過孔與所述場限環電性連接。

8.根據權利要求7所述的用于半導體功率器件的終端，其特征在于，所述介質層上還設置有第三過孔，所述第一多晶硅場板通過所述第三過孔與所述金屬場板電性連接。

9.根據權利要求6所述的用于半導體功率器件的終端，其特征在于，所述第二過孔和所述第一過孔位于所述場限環的同一側。