[發明專利]用于低電壓治理的新型串聯電壓質量調節器在審
| 申請號: | 201810873308.5 | 申請日: | 2018-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN108879719A | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發明(設計)人: | 徐小明;宋力;招耀星;黃泳峰;程勇釗;陳建華;麥偉文;錢應杰;張文靜;張海金;李致瑩;鐘建偉 | 申請(專利權)人: | 廣東和競智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H02J3/18 | 分類號: | H02J3/18 |
| 代理公司: | 深圳叁眾知識產權代理事務所(普通合伙) 44434 | 代理人: | 杜立光 |
| 地址: | 528000 廣東省佛山市南海區丹灶鎮南海*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 旁路支路 三電平 拓撲 電壓質量調節器 串聯 拓撲結構 低電壓 逆變 半控型晶閘管 因數 電磁兼容 電流功率 旁路開關 拓撲方式 穩壓直流 直接串聯 傳統的 畸變率 逆變橋 掛式 關斷 母線 全控 入網 穩壓 校正 治理 電網 開通 | ||
本發明涉及一種用于低電壓治理的新型串聯電壓質量調節器,拓撲結構采用整流側雙boost穩壓拓撲,逆變側采用T字型三電平的新型直掛式拓撲,有效的解決了整流側的入網電流功率因數和畸變率校正的問題,同時穩壓直流母線提高串聯側補償深度,逆變側采用直接串聯進電網的拓撲方式,同時采用三電平逆變橋,在性能、體積、成本方面都得到了比較大的提升;旁路支路采用新型的拓撲結構,利用IGBT全控性的特性,可以隨時關斷開通旁路支路,與傳統的半控型晶閘管旁路開關相比,極大的縮短了旁路支路的切換時間,同時因為雙boost加T字型三電平拓撲的使用,在性能、可靠性、電磁兼容方面具有明顯的優勢。
技術領域
本發明涉及電力電子控制領域,特別是涉及一種用于低電壓治理的新型串聯電壓質量調節器。
背景技術
電能質量問題分為電壓質量問題、電流質量問題,近些年國內外對于電流質量問題研究的較多,設備廠家在APF、SVG等電流質量問題治理設備上投入的研發越來越多,產品的發展非常迅速。但是對于電壓質量問題,很多情況下APF、SVG等設備無能為力。
國外對于電壓質量問題的研究起步較早,生產、研發設備的廠家起步也比較早比如ABB、DSYC、以及韓國、日本的一些企業。電壓質量治理設備的方案也比較多,有帶變壓器的串聯方案(UPQC、AVC等)、有不帶變壓器的串聯方案、也有并聯的方案(只能處理短時間的電壓質量問題)。
這些設備各有優缺點,帶變壓器的串聯方案(UPQC、AVC等)因為變壓器的存在,體積、重量、成本存在比較大的問題,同時整流側一般采用常規的PWM整流器,但是很多時候這些設備只是用于低電壓或者電壓暫降的治理;有不帶變壓器的串聯方案,典型的就是dsyc廠家,其的整流側基本是不控整流或者晶閘管整流,隨著用戶等于設備入網電流功率因數與畸變率的重視程度越來越高,這些都是需要避免與處理的。
以上廠家的旁路基本都是采用雙向晶閘管,對于大功率的采用雙向晶閘管與交接并聯的方式,晶閘管只是作為一個過渡銜接,確保后級不短暫停電。但是因為晶閘管的半控特性,對于串聯補償的設備,最嚴苛情況下晶閘管由旁路切換到主路需要10ms的時間,如果存在短于10ms的電壓暫降,那么此種方案就無計可施,此為需要解決的的問題。
發明內容
本發明提供一種用于低電壓治理的新型串聯電壓質量調節器,對于短于1ms的暫降,也能快速的由旁路支路切換到主路進行補償,同時因為雙boost加T字型三電平拓撲的使用,在性能、可靠性、電磁兼容方面具有明顯的優勢。
其技術方案如下:一種用于低電壓治理的新型串聯電壓質量調節器,包括AC電壓源、阻性負載、整流側、逆變側以及旁路支路,所述整流側包括整流濾波電感L1,雙boost電路拓撲圖整流管D1、D2,開關管G1、G2,直流側儲能電容Cdc1、Cdc2;所述逆變側包括逆變濾波電感L2、逆變濾波電容C2,T字型三電平拓撲圖開關管G3、G4、G5、G6;所述旁路支路包括整流二極管D3、D4、D5、D6,開關管G7,開關管吸收電容C,其中,所述整流側與逆變側通過直流側儲能電容Cdc1、Cdc2進行連接,整流側的濾波電感L1、與母線電容的分別與電網的L、N相連,逆變側的濾波電容C2兩端串入電網中;所述旁路支路的IN1、IN2串入電網中連接。
在上述技術方案中,旁路支路開與關的狀態分別為:
旁路支路開:驅動信號加脈沖,打開開關管G7,常開;
旁路支路關:封鎖驅動信號,關閉開關管G7,常關。
在上述技術方案中,所述旁路支路開的狀態下,電網正半周時,電流通路為IN1——D3——G7——D6——IN2;電網負半周時,電流通路為IN2——D5——G7(反并聯二極管)——D4——IN1;利用全橋整流的雙向特性,實現電流的雙向流動,全控性IGBT器件G7實現快速的電路的通態和斷態的控制;所述旁路支路關的狀態下,全控性IGBT器件關閉,整流側斷開,全橋整流斷開,旁路支路斷開。
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