[發明專利]一種吡啶三亞苯化合物及其應用

在審

• 申請號: 201810873148.4
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN108707136A
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 劉九州;李小軍;馬騰達;黃達;陳少海
• 申請（專利權）人: 瑞聲科技（南京）有限公司
• 主分類號: C07D401/10
• 分類號: C07D401/10;C07D401/14;C07D401/04;C07D471/04;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
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本發明屬于有機電致發光材料領域，公開了一種吡啶三亞苯化合物及其應用。本發明所公開的化合物具有通式(I)所示的結構，該種吡啶三亞苯化合物同時含有具有良好電子傳輸能力的吡啶基團和具有良好空穴傳輸能力的咔唑/咔啉基團，起到了同時調節電子和空穴傳輸能力的作用；此外，與咔唑/咔啉基團相連的三亞苯結構進一步調節了化合物的電子和空穴傳輸能力，因而該化合物的空穴性能和電子傳輸性能較為平衡。另外，本發明化合物的合成路線簡便，適合于工業化大批量生產。

技術領域

本發明屬于有機電致發光材料領域，特別涉及一種吡啶三亞苯化合物及其應用。

背景技術

在有機電致發光器件技術領域，可通過不同的方式實現高效、高壽命的發光，對于發射光譜的發光層，其中一種方式就是采用主客體摻雜的形式進行效率和壽命的提升。

為了實現高效率的發光，避免能量從客體材料向主體材料的逆向能量回傳，同時將三重態激子限定在發光層，主體材料的三重態能級應該大于摻雜材料的三重態能級。當主體材料的三重態能級小于摻雜材料的三重態能量時，將會發生從摻雜材料至主體材料能級反躍遷的現象，從而導致發光效率降低。因此，對于發光材料層，需要高熱穩定性和高于摻雜材料三重態能量的主體材料。

現有技術中，大部分主體材料是空穴傳輸型主體材料或電子傳輸型主體材料。由于載流子傳輸性能的不平衡，這種單極性的主體材料容易形成不利的窄的復合區域。通常，當使用空穴傳輸型主體材料時，在發光層和電子傳輸層界面會產生電荷復合區域，而當使用電子傳輸型主體材料時，在發光層和空穴傳輸層界面會產生電荷復合區域。然而弱的載流子遷移率和發光層中不平衡的電荷對有機發光器件的發光效率不利。同時，有機電致磷光器件這種窄的電荷復合區域，會加快三重態－三重態湮滅過程，從而導致發光效率下降，尤其是在電流密度條件下。為了避免這種效應，通常采用的策略是：(1)使用兩個發光層，其中一層使用空穴傳輸型主體材料，另一個發光層使用電子傳輸型主體材料；(2)將空穴傳輸型和電子傳輸型主體材料混合置于單個發光層中。然而，這兩種策略使得器件的制備變得復雜，且混合的主體材料會導致相分離的問題。

因此，為了達到高效的電致發光效果，需要開發出結構穩定、且能夠平衡電荷傳輸性能的主體材料。

發明內容

本發明的目的在于提供一種吡啶三亞苯化合物，該種化合物為一種合成步驟簡便、結構穩定、且能夠平衡電荷傳輸性能的主體材料。

本發明所提供的吡啶三亞苯化合物，其具有通式(I)所示的結構：

其中，

N₁、N₂、N₃、N₄各自獨立地表示N原子或CRx，且所述Rx表示氫、氘、鹵素、烷基、芳基或雜芳基；

L表示C6-C72芳基或C3-C72雜芳基，或者L不存在；

R₁為氫、氘、鹵素、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基。

可選地，在L存在的情況下，本發明的實施方式所提供的化合物具有通式(II)所示的結構：

其中，

N₁、N₂、N₃、N₄各自獨立地表示N原子或CRx，且所述Rx表示氫、氘、鹵素、烷基或芳基；

L表示C6-C72芳基或C3-C72雜芳基。

可選地，所述L選自取代或未取代的如下基團中的一個或幾個的組合：苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、三亞苯基、苝基、芴基、螺芴基、咔唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶、三嗪基、喹啉基、吖啶基、吲哚基、苯并呋喃基和苯并噻吩基。