[發(fā)明專利]工藝腔室和半導(dǎo)體處理設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810872343.5
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN110797249B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳朋亮
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;B81C1/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種工藝腔室，包括腔室本體以及套設(shè)在所述腔室本體外側(cè)的冷卻元件，所述冷卻元件與所述腔室本體的外周壁之間形成有冷卻氣體通道，其特征在于，所述工藝腔室還包括溫度感應(yīng)元件、加熱元件以及控制元件，所述溫度感應(yīng)元件、所述加熱元件均與所述控制元件電連接；其中，

所述溫度感應(yīng)元件，用于檢測所述腔室本體內(nèi)的當(dāng)前實(shí)際溫度并將其發(fā)送至所述控制元件；

所述控制元件，用于將所述當(dāng)前實(shí)際溫度與預(yù)設(shè)溫度進(jìn)行比較，并當(dāng)所述當(dāng)前實(shí)際溫度小于所述預(yù)設(shè)溫度時(shí)，控制所述加熱元件對所述腔室本體進(jìn)行加熱，以在啟輝完成后的滅輝階段，減緩腔室本體內(nèi)溫度降低速率；其中，

在啟輝結(jié)束之后的工藝制程中的，不同時(shí)刻對應(yīng)的所述預(yù)設(shè)溫度不同，并且所述預(yù)設(shè)溫度隨所述工藝制程的進(jìn)行而逐步降低。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述加熱元件包括金屬絲加熱器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝腔室，其特征在于，所述加熱元件包括石墨加熱器。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工藝腔室，其特征在于，所述石墨加熱器呈環(huán)狀結(jié)構(gòu)，所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)可拆卸地套設(shè)在所述腔室本體的外側(cè)，并與所述腔室本體的外周壁相貼合。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工藝腔室，其特征在于，所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)包括第一半環(huán)和第二半環(huán)，所述第一半環(huán)和所述第二半環(huán)經(jīng)由卡箍固定在所述腔室本體的外周壁上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的工藝腔室，其特征在于，所述加熱元件的兩端分別設(shè)置有電源引入線，所述電源引入線用于與電源電連接；并且，

當(dāng)所述當(dāng)前實(shí)際溫度小于所述預(yù)設(shè)溫度時(shí)，所述控制元件用于控制所述加熱元件經(jīng)由所述電源引入線與所述電源導(dǎo)通。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的工藝腔室，其特征在于，所述電源引入線上串聯(lián)設(shè)置有濾波盒，以對射頻功率進(jìn)行濾波。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝腔室，其特征在于，還包括：

線圈盒，所述線圈盒罩設(shè)在所述冷卻元件外側(cè)，所述濾波盒安裝在所述線圈盒中；并且，

所述線圈盒的側(cè)壁靠近底壁的一端設(shè)置有第一冷卻氣體引入口，所述冷卻元件對應(yīng)所述第一冷卻氣體引入口的位置設(shè)置有第二冷卻氣體引入口，冷卻氣體經(jīng)由所述第一冷卻氣體引入口、所述第二冷卻氣體引入口進(jìn)入到所述冷卻氣體通道內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的工藝腔室，其特征在于，所述冷卻元件的頂壁設(shè)置有第一排氣口，所述線圈盒上設(shè)置有第二排氣口，冷卻氣體經(jīng)由所述第一排氣口、所述第二排氣口與廠務(wù)排風(fēng)口連接。

10.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體處理設(shè)備包括權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的工藝腔室。