[發(fā)明專利]廢氣處理裝置以及廢氣處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810871736.4
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN109386833B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宮崎一知;駒井哲夫;柏木誠司
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社荏原制作所
• 主分類號: F23G7/06
• 分類號: F23G7/06;F23L7/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;閆劍平

本發(fā)明提供一種廢氣處理裝置及廢氣處理方法，當(dāng)在燃燒式廢氣處理裝置中處理含有氫的處理氣體時，該廢氣處理裝置將處理氣體和助燃性氣體朝向燃燒室的內(nèi)周面的切線方向吹入而形成從燃燒室內(nèi)壁浮起的兩種混合的圓筒狀混合火焰，從而能夠防止燃燒室的熱損傷。一種對含有氫的處理氣體進(jìn)行燃燒處理而實現(xiàn)無害化的廢氣處理裝置，對含有氫的處理氣體進(jìn)行燃燒的燃燒室(1)構(gòu)成為圓筒狀的燃燒室(1)，燃燒室(1)具備將處理氣體和助燃性氣體分別朝向燃燒室(1)的內(nèi)周面的切線方向吹入的處理氣體用噴嘴(3A)和助燃性氣體用噴嘴(3B)，處理氣體用噴嘴(3A)和助燃性氣體用噴嘴(3B)位于與燃燒室(1)的軸線正交的同一平面上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及對從制造半導(dǎo)體器件等的制造裝置排出的廢氣進(jìn)行燃燒處理而實現(xiàn)無害化的廢氣處理裝置，尤其涉及一種對從EUV(Extreme Ultra Violet：極短紫外光)曝光裝置排出的廢氣進(jìn)行燃燒處理而實現(xiàn)無害化的廢氣處理裝置。

背景技術(shù)

MPU、DRAM等半導(dǎo)體集成電路的高集成化及其必需的微細(xì)化通過轉(zhuǎn)印電路圖案的曝光裝置光學(xué)系統(tǒng)的短波長化、和浸液、多圖案化(multi patterning)等技術(shù)而得到了實現(xiàn)。

光學(xué)系統(tǒng)的短波長化可以說已接近技術(shù)上的極限，但是近幾年EUV(ExtremeUltra Violet：極短紫外光)曝光裝置逐漸實現(xiàn)實用化。EUV是指將到目前為止花費數(shù)十年間以365nm→248nm→193nm(現(xiàn)行)階段性發(fā)展而來的短波長化一下子推進(jìn)到13.5nm的技術(shù)，正因為如此，才存在要克服的各種各樣的技術(shù)上的障礙。

其中之一是裝置內(nèi)的污染對策。EUV曝光裝置是超精密設(shè)備，尤其會因異物進(jìn)入光學(xué)系統(tǒng)而導(dǎo)致性能急劇下降。EUV曝光裝置由產(chǎn)生EUV的光源部、和通過由光源部產(chǎn)生的EUV進(jìn)行晶片的曝光的曝光部構(gòu)成，已知在光源部中通過向目標(biāo)的激光照射而生成的錫(Sn)的氧化物、和在曝光部中從感光性物質(zhì)(抗蝕劑)脫離的有機物質(zhì)分別為代表性的污染源，但它們是在裝置的運用上必然產(chǎn)生的，且無法防止其產(chǎn)生。

作為針對它們的污染對策，有一種使用氫氣的方法。在光源部中使用數(shù)百L/分的氫氣將錫的氧化物作為氣態(tài)的氫化物來除去，并在曝光部中同樣使用數(shù)十L/分的氫氣使有機物質(zhì)氣化來除去。所使用的氫氣雖然大半都未發(fā)生反應(yīng)，但會作為所除去的污染物質(zhì)的載體而從裝置排出。但是，由于存在使曝光部內(nèi)成為真空的動作工序、光源部與曝光部在某種程度上獨立動作、以及定期的維護(hù)這些主要原因，所以排出的氫氣的量的變動很大。

因此，從EUV曝光裝置排出包含具有一百幾十～幾百L/分這一變動幅度的氫氣在內(nèi)的處理氣體(廢氣)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利第4937886號公報

發(fā)明內(nèi)容

從半導(dǎo)體器件等制造裝置排出的處理氣體(廢氣)通常在由廢氣處理裝置實現(xiàn)了無害化處理之后被排出到大氣中。作為該無害化處理方法，如專利文獻(xiàn)1等公開的那樣廣泛采用了燃燒式廢氣處理裝置，該燃燒式廢氣處理裝置將燃料(燃料氣體)與助燃性氣體(含氧氣體)混合而使燃料燃燒來形成火焰，并在火焰中混合處理氣體(廢氣)而對處理氣體進(jìn)行燃燒處理。

然而，由于從EUV曝光裝置排出的處理氣體(廢氣)中包含大量氫氣，所以有可能無需另行供給燃料，而僅通過供給助燃性氣體(含氧氣體)就能對處理氣體進(jìn)行燃燒處理。