[發明專利]一種雙路集成電路修調裝置

有效

• 申請號: 201810871521.2
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN109450433B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 劉若智;韓群英;姚建春
• 申請（專利權）人: 上海芯哲微電子科技股份有限公司
• 主分類號: H03K19/007
• 分類號: H03K19/007
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發明公開一種雙路集成電路修調裝置，其中包括具有不同分辨率的主路和輔路，主路和輔路各自包括并且依次連接的，開關控制電路用于接收開關信號，以根據開關信號生成并輸出控制指令；集成控制芯片根據控制指令生成選通信號；燒調選擇電路根據選通信號生成方波信號從測試端輸出；方波信號依次包括預啟動時序、激活時序、熔絲選擇時序以及燒調時序；方波信號位于熔絲選擇時序時，燒調選擇電路輸出選擇編碼以連接半導體芯片中對應的熔絲；方波信號位于燒調時序時，燒調選擇電路持續輸出高電平的方波信號至對應的熔絲中，以將熔絲熔斷。有益效果在于：可通過雙路同時修調補償電路中的電性參數，既可以手動進行修調，同時也可以與測試機進行匹配。

技術領域

本發明涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種雙路集成電路修調裝置。

背景技術

在集成電路制造的過程中，進行電路設計時，均會對電路進行完美的仿真，且器件的匹配也會根據實際制造的晶圓廠商的工藝模型進行完美結合，盡管如此，最終也達不到想要的匹配效果。

目前，以常見的集成電路來例，單一的集成電路中會包括幾萬、幾十萬甚至幾百萬及上千萬個NMOS管或PMOS管；如此多的1um*1um的MOS管放在一起，其輸出量級可達十至幾十MV的量級。經過多次試驗驗證，關于MOS管之間閾值差別，服從正態分布。

因此，在現有的技術中，沒有辦法通過簡單地增加每只集成電路面積，來達到某個參數精度很高，并且在制造之后，也會使得集成芯片參數偏離了預定范圍。

發明內容

針對現有技術中存在的上述問題，現提供一種雙路集成電路修調裝置。

具體技術方案如下：

一種雙路集成電路修調裝置，其中包括呈鏡像分布的主路與輔路；所述主路包括：

一主開關控制電路，所述主開關控制電路用以接收一開關信號，以根據所述開關信號生成并輸出一控制指令；

一集成控制芯片，所述主開關控制電路的輸出端分別連接于所述集成控制芯片的第22至第26引腳；所述集成控制芯片根據所述控制指令生成選通信號；

一主燒調選擇電路，所述主燒調選擇電路的輸入端分別連接所述集成控制芯片的第2引腳與第3引腳；所述主燒調選擇電路根據選通信號生成方波信號從主測試端輸出；所述方波信號依次包括預啟動時序、激活時序、熔絲選擇時序以及燒調時序；

所述方波信號位于所述熔絲選擇時序時，所述主燒調選擇電路輸出一選擇編碼以連接半導體芯片中對應的熔絲；所述方波信號位于所述燒調時序時，所述主燒調選擇電路持續輸出高電平的所述方波信號至對應的所述熔絲中，以將所述熔絲熔斷。

優選的，所述主開關控制電路至少包括五路主開關控制支路，每一路所述主開關控制支路包括：

一第一開關，連接一第一電源；

一第一光耦，所述第一光耦的輸入端通過一第一電阻連接所述第一開關，所述第一光耦的輸出端連接所述集成控制芯片的第26引腳；

一第二電阻，連接于所述第一光耦的輸出端與所述第一電源之間；

一第一指示燈，通過一第三電阻連接于所述第一電源與所述集成控制芯片的第27引腳之間；

一第二指示燈，通過一第四電阻連接于所述第一電源與所述集成控制芯片的第28引腳之間。

優選的，所述主燒調選擇電路包括：

一第二光耦，所述第二光耦的輸入端通過一第五電阻連接至所述集成電路芯片的第2引腳；

一穩壓芯片，所述穩壓芯片的第一端連接一電纜接口連接一第二電源，所述穩壓芯片的第二端通過一第六電阻連接所述第二光耦的輸出端，所述穩壓芯片的第三端連接接地端；