[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201810869383.4
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN109390273B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 劉禹炅;李義福;白宗玟;樸水賢;李長鎬;安商熏;吳赫祥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波;翟然

1.一種半導體器件，包括：

襯底，包括下布線；

蝕刻停止層，在所述襯底上，所述蝕刻停止層與所述襯底接觸；

層間絕緣層，在所述蝕刻停止層上；

上布線，設置在所述層間絕緣層中并且與所述下布線分開；以及

通路，形成在所述層間絕緣層和所述蝕刻停止層中并且將所述下布線與所述上布線連接，

其中所述通路包括在所述蝕刻停止層中的第一部分和在所述層間絕緣層中的第二部分，以及

其中所述通路的所述第一部分的側壁包括臺階構造。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述通路的所述第一部分的所述側壁包括遠離所述襯底延伸的第一側壁和第二側壁、以及將所述第一側壁與所述第二側壁連接的第三側壁。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一側壁比所述第二側壁更靠近所述襯底的上表面，

其中所述通路的所述第一部分包括與所述第一側壁對應的第三部分、以及與所述第二側壁對應的第四部分，以及

其中所述通路的所述第三部分的寬度小于所述通路的所述第四部分的寬度。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述蝕刻停止層包括順序地一個堆疊在另一個上的第一蝕刻停止圖案、第二蝕刻停止圖案和第三蝕刻停止圖案，

其中所述第一蝕刻停止圖案圍繞所述通路的所述第三部分，以及

其中所述第二蝕刻停止圖案和所述第三蝕刻停止圖案圍繞所述通路的所述第四部分。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述蝕刻停止層包括順序地一個堆疊在另一個上的第一蝕刻停止圖案、第二蝕刻停止圖案和第三蝕刻停止圖案，以及

其中所述第三側壁與所述第一蝕刻停止圖案的上表面的一部分接觸。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述蝕刻停止層包括順序地一個堆疊在另一個上的第一蝕刻停止圖案、第二蝕刻停止圖案和第三蝕刻停止圖案，以及

其中所述第三側壁與所述第二蝕刻停止圖案的上表面的一部分接觸。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述蝕刻停止層包括順序地堆疊在所述襯底上的下蝕刻停止圖案和上蝕刻停止圖案，

其中所述通路的所述第一部分包括在所述下蝕刻停止圖案中的第三部分和在所述上蝕刻停止圖案中的第四部分，以及

其中，在所述下蝕刻停止圖案與所述上蝕刻停止圖案之間的邊界處，所述第三部分的寬度小于所述第四部分的寬度。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述下蝕刻停止圖案包括在所述襯底上的第一蝕刻停止圖案，以及

其中所述上蝕刻停止圖案包括順序地堆疊在所述第一蝕刻停止圖案上的第二蝕刻停止圖案和第三蝕刻停止圖案。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述下蝕刻停止圖案包括順序地堆疊在所述襯底上的第一蝕刻停止圖案和第二蝕刻停止圖案，以及

其中所述上蝕刻停止圖案包括堆疊在所述第二蝕刻停止圖案上的第三蝕刻停止圖案。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述蝕刻停止層包括順序地一個堆疊在另一個上的第一蝕刻停止圖案、第二蝕刻停止圖案和第三蝕刻停止圖案，

其中所述第一蝕刻停止圖案和所述第三蝕刻停止圖案包括相同的材料，以及

其中所述第二蝕刻停止圖案包括與所述第一蝕刻停止圖案和所述第三蝕刻停止圖案的材料不同的材料。