[發明專利]一種串聯壓接型半導體機構

在審

• 申請號: 201810868890.6
• 申請日: 2018-08-02
• 公開（公告）號: CN109346441A
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 袁荔;王成昊;謝劍;李云鵬;王志翔;喬麗;歐陽文敏;孫澤來;張曉龍
• 申請（專利權）人: 全球能源互聯網研究院有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L25/07
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，所述壓裝機構包括壓裝架和設于所述壓裝架內且與所述壓裝架同軸心設置的半導體器件閥串；

所述半導體器件閥串與所述壓裝架間設有控壓組件；

所述半導體器件閥串包括交替疊放的散熱器和半導體器件，所述半導體器件與所述散熱器間分別設有多孔金屬。

2.根據權利要求1所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述壓裝架包括兩個相互平行的端板、貫穿兩個端板的絕緣拉桿和套設于所述絕緣拉桿兩端且與所述端板相抵的固定件。

3.根據權利要求2所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述絕緣拉桿的數目大于1且分別關于所述端板的軸心對稱。

4.根據權利要求2所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述控壓組件包括設于所述半導體器件閥串一端與兩個端板中的一個間的碟簧和設于所述半導體器件閥串另一端與兩個端板中的另一個間的壓力加載適配器；

所述碟簧和所述壓力加載適配器分別與所述半導體器件閥串同軸。

5.根據權利要求4所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述壓力加載適配器與所述半導體器件閥串間依次設有絕緣隔離盤、壓裝應力錐和填隙墊片；

所述絕緣隔離盤與所述半導體器件閥串連接；

所述填隙墊片與所述壓力加載適配器連接；

所述絕緣隔離盤、壓裝應力錐和填隙墊片分別與所述半導體器件閥串同軸。

6.根據權利要求5所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述壓裝應力錐的上底與所述填隙墊片連接，下底與所述絕緣隔離盤連接。

7.根據權利要求1所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述半導體器件閥串的兩端分別為散熱器。

8.根據權利要求1所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述散熱器包括從所述半導體器件閥串一端至另一端交替設置的第一散熱器和第二散熱器。

9.根據權利要求8所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述第一散熱器包括板狀散熱器基體、分別設于所述散熱器基體相對的兩個側壁上的母排固定端子和IGBT拆卸頂壓輔助端子以及設于所屬散熱器基體的另一個側壁上的散熱器限位端子；

所述散熱器基體的上、下底分別設有IGBT連接限位孔。

10.根據權利要求8所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述第二散熱器包括板狀散熱器基體、分別設于所述散熱器基體的第一側壁和第二側壁上的IGBT拆卸頂壓輔助端子、設于所述散熱器基體的第三側壁上的散熱器限位端子和母排固定端子以及設于所述散熱器基體的第四側壁與所述第一側壁或第二側壁連接處的驅動盒限位端子；

所述散熱器基體的上、下底分別設有IGBT連接限位孔；

所述散熱器基體的第四側壁上設有驅動固定端孔；

所述第一側壁與所述第二側壁相對，所述第三側壁與所述第四側壁相對。

11.根據權利要求1所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述多孔金屬呈板狀；所述多孔金屬設有孔洞。

12.根據權利要求11所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述孔洞包括泡沫型孔洞、藕型孔洞和/或蜂窩型孔洞。

13.根據權利要求11所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述孔洞的直徑包括2～3μm。

14.根據權利要求1所述的一種串聯壓接型半導體機構，其特征在于，

所述多孔金屬的孔隙度包括45～90％；

所述多孔金屬的比表面積包括10～40cm²/cm³。