[發明專利]一種量子點發光二極管及制備方法、量子點液晶顯示模組有效
| 申請號: | 201810866276.6 | 申請日: | 2018-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN110797465B | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發明(設計)人: | 歷志輝 | 申請(專利權)人: | 深圳TCL新技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 量子 發光二極管 制備 方法 液晶顯示 模組 | ||
本發明公開一種量子點發光二極管及制備方法、量子點液晶顯示模組,方法包括步驟:在底座上安裝發光芯片,在底座上覆蓋發光芯片制備封裝層,在封裝層上安裝支撐基板;在支撐基板上壓印制備具有凹槽的混合阻隔層;凹槽的底部與支撐基板之間的部分由納米透明隔熱材料填充,凹槽的四周部分由納米透明隔熱材料與離子交換樹脂的混合材料填充;在凹槽內制備量子點發光層;在混合阻隔層上制備單一阻隔層,所述單一阻隔層的材料為納米透明隔熱材料;在單一阻隔層上制備熒光層;在熒光層上安裝透鏡。量子點發光層被完全封裝在LED中可免受水汽和熱量侵害,且不直接向環境釋放Pb2+;使得QLED具有高的色純度和長的使用壽命且環保。
技術領域
本發明涉及量子點-液晶顯示技術領域,尤其涉及一種量子點發光二極管及制備方法、量子點液晶顯示模組。
背景技術
與正在產業化過程中的CdSe類量子點相比,鈣鈦礦量子點具有成本低廉、工藝簡單等特點,是一類具有成長潛力的新型量子點材料,在發光二極管、激光等領域具有優勢。鈣鈦礦量子點具有較高的光致發光效率,因此,近幾年研究人員開始將鈣鈦礦量子點應用于發光二極管(LED)。
鈣鈦礦晶體具有ABX3(X=Cl,Br,I)通式結構,通常屬于正交、四方或立方晶系。從組分而言,鈣鈦礦量子點有金屬有機鹵化物量子點CH3NH3PbX3(X=Cl,Br,I)和無機組分量子點CsPbX3(X=Cl,Br,I),上述兩類鈣鈦礦量子點均含有重金屬元素Pb,使它們具有一定的毒性,在潮濕的環境中,鈣鈦礦易分解,分解出來不是金屬鉛,而是Pb2+;雖然鉛離子只是微溶于水,但這已經足以污染下水道,破壞環境了。
鈣鈦礦量子點對300~530nm左右的光吸收較強,發射主波長為520nm左右的綠光。300nm~380nm光已經是紫外光,紫外光能量很高,長時間照射液晶會使液晶中產生自由離子導致現有鈣鈦礦量子點液晶顯示模組出現顯示效果不佳的問題(如出現殘像)。即使設計使用380nm以上的可見光做激發光,也可能因為發光純度等使激發光中夾雜紫外光,從而造成液晶面板顯示效果的降低。
因此,現有技術還有待于改進和發展。
發明內容
鑒于上述現有技術的不足,本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管及制備方法、量子點液晶顯示模組,旨在解決現有鈣鈦礦量子點在潮濕環境中易分解出Pb2+而導致環境污染;以及現有鈣鈦礦量子點液晶顯示模組有殘像或顯示效果不佳的問題。
本發明的技術方案如下:
一種量子點發光二極管的制備方法,其中,包括步驟:
將發光芯片安裝在底座上,接著在所述底座上覆蓋所述發光芯片制備封裝層,然后在所述封裝層上安裝支撐基板;
將納米透明隔熱材料與離子交換樹脂配置成混合溶液,在支撐基板上涂布混合溶液,涂布完成后使用模具進行壓印,烘干,得到具有凹槽的混合阻隔層;其中,所述凹槽的底部與所述支撐基板之間的部分由納米透明隔熱材料填充,所述凹槽的四周部分由納米透明隔熱材料與離子交換樹脂的混合材料填充;
在凹槽內制備量子點發光層;
在混合阻隔層上制備單一阻隔層,所述單一阻隔層的材料為納米透明隔熱材料;
在單一阻隔層上制備熒光層;
在熒光層上安裝透鏡。
所述的量子點發光二極管的制備方法,其中,所述量子點發光層的制備方法包括步驟:
配置量子點溶液,將量子點溶液注滿凹槽內,接著烘干、曝光、顯影、干燥,制備得到所述量子點發光層;
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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