[發(fā)明專利]圖像傳感器的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810865024.1 | 申請日： | 2018-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN108807445B | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 趙培培;吳孝哲;林宗賢;吳龍江;熊建鋒;吳明 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振華;吳敏 |
| 地址： | 223302 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖像傳感器 形成 方法 | ||
1.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底的表面依次形成第一犧牲層以及第二犧牲層，其中，所述半導體襯底包括邏輯區(qū)域與像素區(qū)域；
采用第一刻蝕工藝對所述第二犧牲層、第一犧牲層以及所述半導體襯底進行刻蝕，以在所述邏輯區(qū)域與像素區(qū)域形成STI溝槽；
在所述邏輯區(qū)域，采用第二刻蝕工藝對所述STI溝槽底部的半導體襯底進行二次刻蝕，以形成STI延伸溝槽；
去除所述第二犧牲層；
向所述STI延伸溝槽以及所述STI溝槽內填充介質材料；
所述方法還包括：去除所述第一犧牲層；
在去除所述第一犧牲層之后，所述方法還包括：
在所述半導體襯底的表面形成多晶硅層；
對所述多晶硅層進行刻蝕，以得到柵極結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，
在去除所述第二犧牲層之前，還包括：采用填充材料填充所述STI延伸溝槽以及所述STI溝槽；
在去除所述第二犧牲層之后，還包括：去除所述填充材料。
3.根據(jù)權利要求2所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述填充材料為光刻膠。
4.根據(jù)權利要求3所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，去除所述填充材料的工藝參數(shù)選自：
刻蝕氣體為含有氫氣和氮氣的氧氣，或含有氮氣的氧氣，或含有氫氣的氮氣；
刻蝕溫度為200℃至300℃。
5.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層、第二犧牲層均為氧化硅與氮化硅的堆疊層。
6.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一刻蝕工藝以及所述第二刻蝕工藝均為干法刻蝕工藝。
7.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲層為氧化硅，去除所述第二犧牲層包括：
采用DHF濕法刻蝕去除所述氧化硅。
8.根據(jù)權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲層為氮化硅，去除所述第二犧牲層包括：
采用H3PO4濕法刻蝕去除所述氮化硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
