[發明專利]一種多孔二氧化鈦單晶材料及其制備方法和應用有效
| 申請號: | 201810864447.1 | 申請日: | 2018-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN110791808B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發明(設計)人: | 謝奎;林國明;程方圓 | 申請(專利權)人: | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號: | C30B29/16 | 分類號: | C30B29/16;C30B29/64;C30B1/10 |
| 代理公司: | 北京元周律知識產權代理有限公司 11540 | 代理人: | 楊曉云 |
| 地址: | 350002 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多孔 氧化 鈦單晶 材料 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種多孔二氧化鈦單晶材料,其特征在于,所述多孔二氧化鈦單晶材料中含有20 nm~1000 nm的孔;
所述多孔二氧化鈦單晶中的孔為連通多孔;
所述多孔二氧化鈦單晶材料為多孔二氧化鈦單晶薄膜和/或多孔二氧化鈦單晶晶體;
所述多孔二氧化鈦單晶晶體的尺寸為0.1 cm~30 cm;
所述的多孔二氧化鈦單晶材料的制備方法,至少包括:
將鈦源在不同組分的原料氣中,高溫反應,得到所述多孔二氧化鈦單晶材料;
所述鈦源包括鈦鹽單晶中的至少一種;
所述鈦鹽單晶的尺度范圍為0.1cm~30cm;
所述原料氣包括氧氣和氮氣、氬氣、氫氣中的至少一種;
氧氣的流量記為a,氮氣的流量記為b,氬氣的流量記為c,氫氣的流量記為d,滿足:
0 SLM≤a≤100 SLM;
0 SLM≤b≤100 SLM;
0.05 SLM≤c≤100 SLM;
0 SLM≤d≤100 SLM;
其中,所述氫氣和氧氣不同時存在;
所述高溫反應的條件為:
反應溫度為1073 K~1323 K;
反應壓力為0.05 Torr~750 Torr。
2.根據權利要求1所述的多孔二氧化鈦單晶材料,其特征在于,所述多孔二氧化鈦單晶的表面為多孔二氧化鈦單晶的(100)面、(110)面、(101)面、(001)面中的至少一面。
3.根據權利要求1所述的多孔二氧化鈦單晶材料,其特征在于,所述多孔二氧化鈦單晶薄膜的表面為多孔二氧化鈦單晶的(100)面、(110)面、(101)面、(001)面中的至少一面;
所述多孔二氧化鈦單晶晶體的最大表面為多孔二氧化鈦單晶的(100)面、(110)面、(101)面、(001)面中的至少一面。
4.根據權利要求1所述的多孔二氧化鈦單晶材料,其特征在于,
所述多孔二氧化鈦單晶薄膜的厚度為10 nm~100μm。
5.根據權利要求1所述的多孔二氧化鈦單晶材料,其特征在于,所述多孔二氧化鈦單晶晶體的尺寸為0.5 cm~5 cm;
所述多孔二氧化鈦單晶薄膜的厚度為10 nm~50μm。
6.根據權利要求1所述的多孔二氧化鈦單晶材料,其特征在于,所述鈦源選自磷酸鈦氧鉀單晶和鈦酸鋅單晶中的一種;
所述磷酸鈦氧鉀單晶與所述原料氣接觸的面為磷酸鈦氧鉀單晶的(100)面、(001)面、(110)面、(111)面中的至少一面;所述鈦酸鋅單晶與所述原料氣接觸的面為鈦酸鋅晶體的(100)面、(110)面、(111)面中的至少一面。
7.根據權利要求1所述的多孔二氧化鈦單晶材料,其特征在于,所述高溫反應的條件為:
升溫速率為10~20℃/min;
反應時間為1 min~500h。
8.根據權利要求1所述的多孔二氧化鈦單晶材料,其特征在于,反應溫度為1123 K~1223 K;
所述反應時間為1 min~200 h。
9.根據權利要求1所述的多孔二氧化鈦單晶材料,其特征在于,所述方法包括:將磷酸鈦氧鉀單晶或者鈦酸鋅單晶在含不同組分的氣氛中反應,在磷酸鈦氧鉀單晶或者鈦酸鋅單晶表面進行熱分解結晶并生長,得到所述多孔二氧化鈦單晶材料。
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