[發明專利]改善擴散長度效應及制作MOS晶體管的方法在審
| 申請號： | 201810863847.0 | 申請日： | 2018-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN109037144A | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發明（設計）人： | 王鵬鵬;徐靜靜 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 淺溝槽 長度效應 襯底 內絕緣層 鍺離子 擴散 側壁 離子 淺槽隔離結構 半導體器件 淺溝槽結構 性能穩定性 工藝兼容 晶格結構 離子擴散 設計布局 應力減小 制作過程 工藝流程 集成度 小劑量 緩沖 源區 制作 改進 保證 | ||
1.一種改善擴散長度效應的方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，所述襯底內形成有淺溝槽；
對所述淺溝槽進行傾斜鍺離子注入；
填充絕緣層在所述淺溝槽內，所述離子注入能夠改變所述淺溝槽側壁及底部的襯底的晶格結構，以緩沖所述襯底與所述絕緣層之間的應力。
2.根據權利要求1所述的改善擴散長度效應的方法，其特征在于，所述鍺離子注入的能量為5keV～60keV。
3.根據權利要求1所述的改善擴散長度效應的方法，其特征在于，所述鍺離子注入的濃度范圍為1014～1016/cm2。
4.根據權利要求1所述的改善擴散長度效應的方法，其特征在于，所述鍺離子注入與所述襯底垂直方向的傾斜角度為0～45度。
5.根據權利要求1所述的改善擴散長度效應的方法，其特征在于，在離子注入后，在填充絕緣層之前，還包括：在所述淺溝槽側壁及底部上形成一氧化層。
6.根據權利要求5所述的改善擴散長度效應的方法，其特征在于，所述氧化層采用原位水汽生成工藝形成。
7.一種制作MOS晶體管的方法，其特征在于，包括：
提供一襯底，于所述襯底上形成多個淺溝槽；
對所述淺溝槽進行傾斜鍺離子注入；
于所述淺溝槽側壁及底部上形成一氧化層；
于所述淺溝槽內填充絕緣層，形成淺溝槽隔離結構，相鄰所述淺溝槽隔離結構之間的區域為有源區。
8.根據權利要求7所述的制作MOS晶體管的方法，其特征在于，所述鍺離子注入的能量為5keV～60keV，所述鍺離子注入的濃度范圍為1014～1016/cm2。
9.根據權利要求7所述的制作MOS晶體管的方法，其特征在于，所述鍺離子注入與所述襯底垂直方向的傾斜角度為0～45度。
10.根據權利要求8所述的制作MOS晶體管的方法，其特征在于，制作MOS晶體管的方法還包括在有源區內形成柵極、源/漏極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
