[發(fā)明專利]制備雙層薄膜的方法和量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810863609.X | 申請日： | 2018-08-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110797475A | 公開（公告）日： | 2020-02-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王磊;陳虹婷 | 申請（專利權(quán)）人： | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L51/56 | 分類號(hào)： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/00;H01L51/54 |
| 代理公司： | 42201 華中科技大學(xué)專利中心 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 上層薄膜 下層 薄膜 加熱 雙層薄膜 前驅(qū)液 基底 制備 發(fā)光二極管 溶液法制備 量子點(diǎn) 溶劑 雙層膜結(jié)構(gòu) 間二甲苯 開啟電壓 上層材料 成膜 平整 篩選 | ||
1.一種制備雙層薄膜的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
(1)在基底上通過溶液法制備下層薄膜；
(2)將基底及下層薄膜加熱至一定的溫度，同時(shí)上層薄膜材料的前驅(qū)液加熱到一定的溫度；
(3)將加熱后的上層薄膜材料的前驅(qū)液通過溶液法制備上層薄膜，所述上層薄膜位于下層薄膜上，形成雙層薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的一種制備雙層薄膜的方法，其特征在于，雙層薄膜的材料為聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]和聚乙烯基咔唑。
3.如權(quán)利要求1所述的一種制備雙層薄膜的方法，其特征在于，所述基底加熱溫度范圍在40-80℃，所述前驅(qū)液溫度范圍在70-90℃。
4.如權(quán)利要求1所述的一種制備雙層薄膜的方法，其特征在于，所述溶液法包括旋涂法、刮涂法、滴涂法或印刷法。
5.如權(quán)利要求1所述的一種制備雙層薄膜的方法，其特征在于，下層薄膜前驅(qū)液為氯苯，上層薄膜前驅(qū)液為間二甲苯。
6.如權(quán)利要求5所述的一種制備雙層薄膜的方法，其特征在于，所述下層材料前驅(qū)液濃度為5-20mg/ml，所述上層材料前驅(qū)液濃度為0.5-5mg/ml。
7.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管的雙空穴傳輸層是雙層薄膜結(jié)構(gòu)，其采用如權(quán)利要求1-6所述的方法制備。
8.一種如權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法制備的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管從底層到頂層依次為：透明電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和金屬電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
