[發明專利]半導體存儲裝置以及包括其的半導體系統

有效

• 申請號: 201810863556.1
• 申請日: 2018-08-01
• 公開（公告）號: CN109727621B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 金顯承
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/18
• 分類號: G11C7/18;G11C7/12;G11C8/14;G11C8/08
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;李少丹

本發明公開了一種半導體存儲裝置以及包括其的半導體系統。一種半導體存儲裝置包括第一字節焊盤和第二字節焊盤。左側外圍線耦接第一字節焊盤和第一存儲體區域，并且右側外圍線耦接第二字節焊盤和第二存儲體區域。外圍中繼器基于外圍選通信號來耦接左側外圍線右側外圍線。外圍選通信號基于字節信息和存儲體選擇信息來產生。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2017年10月31日向韓國知識產權局提交的韓國申請號為10-2017-0143325的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此，如同全文闡述。

技術領域

本發明的各種示例性實施例涉及一種半導體技術，以及更具體地，涉及一種半導體存儲裝置和半導體系統。

背景技術

電子設備包括許多電子元件，并且計算機系統包括許多包含半導體裝置的電子元件。計算機系統的半導體裝置之中的半導體存儲裝置可以與諸如處理器的主機通信，并且可以儲存并輸出數據。根據半導體存儲裝置在切斷電源時是否能保留儲存在其中的數據，半導體存儲裝置可以被分為易失性存儲裝置和非易失性存儲裝置。易失性存儲裝置可以包括靜態RAM(SRAM)、動態RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存儲裝置可以包括：只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電擦除可編程ROM(EEPROM)、電可編程ROM(EPROM)、快閃存儲器、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)。

半導體存儲裝置可以包括被稱為存儲體的數據儲存區域。位線和字線可以布置在存儲體中。存儲體可以具有布置在位線與字線之間的交叉點處的存儲單元。通常，半導體存儲裝置可以包括多個存儲體。在多個存儲體之中選中的存儲體可以根據操作模式而選擇性地執行儲存數據和輸出數據的操作。半導體存儲裝置可以具有耦接到數據總線的數據焊盤。半導體存儲裝置可以通過數據焊盤接收從主機提供的數據。半導體存儲裝置可以經由數據焊盤將數據輸出到主機。半導體存儲裝置可以具有數據線，其被配置為在數據焊盤與多個存儲體之間傳輸數據。

發明內容

在一個實施例中，一種半導體存儲裝置可以包括：左側外圍線(peri-line)，其被配置為耦接第一字節焊盤和第一存儲體區域；右側外圍線，其被配置為耦接第二字節焊盤和第二存儲體區域；外圍中繼器(peri-repeater)，其被配置為基于外圍選通信號來耦接所述左側外圍線和所述右側外圍線；第一存儲體中繼器(repeater)，其被配置為基于第一存儲體選通信號來耦接所述左側外圍線和布置在所述第一存儲體區域中的第一存儲體線；第二存儲體中繼器，其被配置為基于第二存儲體選通信號來耦接所述右側外圍線和布置在所述第二存儲體區域中的第二存儲體線；控制電路，其被配置為基于字節信息和存儲體選擇信息來產生所述外圍選通信號、所述第一存儲體選通信號和所述第二存儲體選通信號。

在一個實施例中，一種半導體存儲裝置可以包括：左側外圍線，其被配置為耦接第一字節焊盤和第一存儲體區域；右側外圍線，其被配置為耦接第二字節焊盤和第二存儲體區域；左側外圍中繼器，其被配置為基于第一外圍選通信號和第二外圍選通信號來耦接左側外圍線和中間外圍線；右側外圍中繼器，其被配置為基于所述第一外圍選通信號和所述第二外圍選通信號來耦接所述中間外圍線和右側外圍線；以及控制電路，其被配置為基于字節信息和存儲體選擇信息來產生所述第一外圍選通信號和所述第二外圍選通信號，并且基于寫入信息來調節輸出所述第一外圍選通信號和所述第二外圍選通信號的時間。

附圖說明

圖1是圖示了根據一個實施例的半導體系統的示例配置的代表的示圖；

圖2是圖示了根據一個實施例的半導體存儲裝置的示例配置的代表的示圖；

圖3是圖示了圖2中所示的控制電路的示例配置的代表的示圖；

圖4是圖示了圖3中所示的激活存儲體信息發生電路的示例配置的代表的示圖；