[發明專利]具有快速響應和高瞬態電流的ESD器件

在審

• 申請號: 201810862220.3
• 申請日: 2018-08-01
• 公開（公告）號: CN109390332A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發明（設計）人: A·C·阿帕斯瓦米;J·P·迪薩羅
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙志剛;趙蓉民

1.一種器件，包括：

襯底，所述襯底具有表面；

第一n摻雜區，所述第一n摻雜區從所述表面延伸；

第一p摻雜區，所述第一p摻雜區從所述表面延伸并與所述第一n摻雜區通過界面相接；

第二p摻雜區，所述第二p摻雜區從所述表面延伸并定位在所述第一n摻雜區內；

第二n摻雜區，所述第二n摻雜區從所述表面延伸并定位在所述第二p摻雜區內；以及

第三n摻雜區，所述第三n摻雜區從所述表面延伸并定位在所述第一p摻雜區內。

2.根據權利要求1所述的器件，還包括：

導體，所述導體耦接在所述第一p摻雜區和所述第二n摻雜區之間。

3.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一p摻雜區將所述第三n摻雜區與所述第一n摻雜區分離。

4.根據權利要求1所述的器件，其中所述第二p摻雜區將所述第二n摻雜區與所述第一n摻雜區分離。

5.根據權利要求1所述的器件，還包括：

橫向擴散MOS晶體管即LDMOS晶體管，包括：

漏極端子，所述漏極端子在所述第一n摻雜區中；

體端子，所述體端子在所述第二p摻雜區中；

源極端子，所述源極端子在所述第二n摻雜區中；

柵極結構，所述柵極結構在所述第一n摻雜區和所述第二p摻雜區之上并跨越所述第一n摻雜區和所述第二p摻雜區；以及

隔離結構，所述隔離結構在所述漏極端子和所述柵極結構之間。

6.根據權利要求1所述的器件，還包括：

NPN雙極晶體管，包括：

集電極端子，所述集電極端子在所述第一n摻雜區中；

基極端子，所述基極端子在所述第一p摻雜區中；以及

發射極端子，所述發射極端子在所述第三n摻雜區中。

7.根據權利要求1所述的器件，其中：所述第一n摻雜區包括：

掩埋n摻雜區，所述掩埋n摻雜區在所述第一p摻雜區之下；以及

垂直n摻雜區，所述垂直n摻雜區從所述表面延伸以接合所述掩埋n摻雜區，所述垂直n摻雜區橫向圍繞所述第一p摻雜區。

8.根據權利要求1所述的器件，其中所述第二n摻雜區具有比所述第一n摻雜區高的摻雜濃度。

9.根據權利要求1所述的器件，其中所述第三n摻雜區具有比所述第一n摻雜區高的摻雜濃度。

10.根據權利要求1所述的器件，其中所述第二p摻雜區具有比所述第一p摻雜區高的摻雜濃度。

11.一種器件，包括：

襯底，所述襯底具有表面；

n摻雜層，所述n摻雜層在所述襯底中；

第一p摻雜區，所述第一p摻雜區在所述n摻雜層上方；

垂直n摻雜區，所述垂直n摻雜區從所述表面延伸到所述n摻雜層，所述垂直n摻雜區橫向圍繞所述第一p摻雜區；

第一n摻雜區，所述第一n摻雜區在所述n摻雜層上方；

第二p摻雜區，所述第二p摻雜區在所述第一n摻雜區內；

第二n摻雜區，所述第二n摻雜區在所述第二p摻雜區內；以及

導體，所述導體耦接在所述第一p摻雜區與所述第二n摻雜區之間。

12.根據權利要求11所述的器件，還包括：

第三n摻雜區，所述第三n摻雜區在所述第一p摻雜區內，并且通過所述第一p摻雜區和所述垂直n摻雜區與所述第一n摻雜區分離。

13.根據權利要求12所述的器件，還包括：

NPN雙極晶體管，包括：

集電極端子，所述集電極端子在所述垂直n摻雜區中；

基極端子，所述基極端子在所述第一p摻雜區中；以及

發射極端子，所述發射極端子在所述第三n摻雜區中。