[發(fā)明專利]HIT太陽電池的硼摻雜發(fā)射極結(jié)構(gòu)與制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810861925.3
• 申請日: 2018-07-29
• 公開（公告）號: CN108922937A
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳偉梁;朱彥斌;陶龍忠;楊灼堅;陳海鈞;肖文明
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇潤陽悅達光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0352;H01L21/223;H01L31/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種HIT太陽電池的硼摻雜發(fā)射極結(jié)構(gòu)，其特征在于，該太陽電池的結(jié)構(gòu)包括：n型硅片，a-Si:H （i）鈍化層，透明導(dǎo)電薄膜TCO，若干硼摻雜濃度的發(fā)射極，H₂等離子體處理薄膜接觸界面形成的富硅層和無主柵結(jié)構(gòu)的銀細珊線，該太陽電池的結(jié)構(gòu)是以高光學(xué)帶隙、低摻硼非晶硅薄膜的折射率、低薄膜界面復(fù)合、低薄膜缺陷態(tài)密度的階梯式摻雜發(fā)射極結(jié)構(gòu)特征。

2.一種HIT太陽電池硼摻雜發(fā)射極制備方法，其特征在于，在HIT電池表面采用本征非晶硅進行表面鈍化，通過控制硼摻雜源B₂H₆氣體流量，實現(xiàn)發(fā)射極摻硼濃度從低到高的階梯式摻雜工藝，并且在每一步切換氣體流量時，采用H₂等離子體處理形成富硅層，進一步降低薄膜接觸界面的復(fù)合，同時引入CO₂或CH₄氣體能夠使階梯式摻硼非晶硅薄膜晶化，生成氫化氧化硅薄膜或a-SiC_x:H薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的HIT太陽電池硼摻雜發(fā)射極制備方法，其特征在于，該方法包括：

步驟1）：硅片清洗與制絨：n型硅片，進行前后表面的制絨與RCA清洗；

步驟2）：非晶硅薄膜沉積：清洗后，在該硅片的后表面，采用PECVD沉積該a-Si:H （i）鈍化層，磷摻雜源PH₃氣體流量，在該硅片前表面a-Si:H （i）層上沉積一層a-Si:H （n）薄膜，在硅片的前表面，采用射頻PECVD沉積該a-Si:H （i）鈍化層，控制硼摻雜源B₂H₆氣體流量，在硅片前表面該a-Si:H （i）層上沉積第一層輕摻雜的a-Si:H （p）薄膜，經(jīng)過H₂等離子體處理表面；而后沉積第二層中摻雜的a-Si:H （p）薄膜，經(jīng)過H₂等離子體處理表面；最后沉積第三層重摻雜的a-Si:H （p）薄膜，經(jīng)過H₂等離子體處理表面；

步驟3）：透明導(dǎo)電膜沉積：反應(yīng)等離子體沉積RPD沉積ITO薄膜；對ITO薄膜進行分析，摻雜元素會隨著ITO薄膜的沉積，會繼續(xù)向a-Si:H/c-Si界面滲透；

步驟4）：絲網(wǎng)印刷：通過無主柵技術(shù)，正、背面印刷超細銀柵線；

步驟5）：低溫?zé)Y(jié)：采用低溫銀漿，經(jīng)燒結(jié)溫度200°C，時間30分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的HIT太陽電池硼摻雜發(fā)射極制備方法，其特征在于，非晶硅薄膜沉積步驟包括：清洗后，在該硅片的后表面，采用PECVD沉積該a-Si:H （i）鈍化層，磷摻雜源PH₃氣體流量，在該硅片前表面該a-Si:H （i）層上沉積一層該a-Si:H （n）薄膜，在該硅片的前表面，采用PECVD沉積該a-Si:H （i）鈍化層，控制該硼摻雜源B₂H₆氣體流量，在該硅片前表面該a-Si:H （i）層上沉積該第一層輕摻雜的a-Si:H （p）薄膜；沉積該第二層中摻雜的a-Si:H （p）薄膜；最后沉積該第三層重摻雜的該a-Si:H （p）薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的HIT太陽電池硼摻雜發(fā)射極制備方法，其特征在于，非晶硅薄膜沉積步驟包括：清洗后，在該硅片的后表面，采用PECVD沉積該a-Si:H （i）鈍化層，磷摻雜源PH₃氣體流量，在硅片前表面該a-Si:H （i）層上沉積一層該a-Si:H （n）薄膜，在硅片的前表面，采用PECVD沉積該a-Si:H （i）鈍化層，控制該硼摻雜源B₂H₆氣體流量，在該硅片前表面該a-Si:H （i）層上沉積該第一層輕摻雜的a-Si:H （p）薄膜，經(jīng)過H₂等離子體處理表面；之后沉積該第二層中摻雜的該a-Si:H （p）薄膜，經(jīng)過H₂等離子體處理表面；最后沉積該第三層重摻雜的該a-Si:H （p）薄膜，經(jīng)過H₂等離子體處理表面。