[發(fā)明專利]含有多條啞位線的多位元三維一次編程存儲(chǔ)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810860764.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108806756A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張國(guó)飆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都三維艾匹科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C17/16 | 分類號(hào): | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 610041 四川省成都市天*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多位 三維一次編程存儲(chǔ)器 存儲(chǔ) 存儲(chǔ)層 襯底電路 啞位線 耦合的 疊置 | ||
1.一種多位元三維一次編程存儲(chǔ)器(多位元3D-OTP),其特征在于含有:
一含有晶體管的半導(dǎo)體襯底(0);
一堆疊在該半導(dǎo)體襯底(0)上方的OTP存儲(chǔ)陣列(0A),該OTP存儲(chǔ)陣列(0A)含有多個(gè)OTP存儲(chǔ)元(1a0-1zz),每個(gè)存儲(chǔ)元含有一反熔絲膜(22) ,所述多個(gè)OTP存儲(chǔ)元(1a0-1zz)包括第一未編程的OTP啞存儲(chǔ)元(1a0)以及第二、第三和第四已編程的OTP啞存儲(chǔ)元(1a1, 1a2,1a3);
一條與該第一啞存儲(chǔ)元(1a0)耦合的第一啞位線(31a);
一條與該第二啞存儲(chǔ)元(1a1)耦合的第二啞位線(31b);
一條與該第三啞存儲(chǔ)元(1a2)耦合的第三啞位線(31c),所述第二和第三啞存儲(chǔ)元(1a1, 1a2)處于相同狀態(tài);
一條與該第四啞存儲(chǔ)元(1a3)耦合的第四啞位線(31d) ,所述第二和第四啞存儲(chǔ)元(1a1, 1a3)處于不同狀態(tài);
多個(gè)將所述OTP存儲(chǔ)元與所述半導(dǎo)體襯底(0)耦合的接觸通道孔(20av);
一形成在所述半導(dǎo)體襯底(0)上的第一差分放大器(58a),該第一差分放大器(58a)含有第一輸入(53a),該第一輸入(53a)與所述第一和第二啞位線(31a, 31b)耦合;
一形成在所述半導(dǎo)體襯底(0)上的第二差分放大器(58b),該第二差分放大器(58b)含有第二輸入(53b),該第二輸入(53b)與所述第三和第四啞位線(31c, 31d)耦合;
所述OTP存儲(chǔ)元具有N(N>2)種狀態(tài),不同狀態(tài)OTP存儲(chǔ)元的編程電流不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多位元3D-OTP,其特征還在于:所述第二OTP啞存儲(chǔ)元(1a1)的電阻大于所述第四OTP啞存儲(chǔ)元(1a3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多位元3D-OTP,其特征還在于:所述第二OTP啞存儲(chǔ)元(1a1)的編程電流小于所述第四OTP啞存儲(chǔ)元(1a3)。
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