[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法和顯示面板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810860305.8
• 申請(qǐng)日: 2018-08-01
• 公開（公告）號(hào): CN109003991A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王超;趙生偉;劉華鋒;南春香
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/417;H01L21/84
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種陣列基板，包括顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)設(shè)置的周邊電路區(qū)，其特征在于，包括：

襯底；

第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管設(shè)置在所述襯底的第一表面上，且位于所述顯示區(qū)，包括第一柵極、第一有源層、第一源漏極；

第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管設(shè)置在所述第一表面上，且位于所述周邊電路區(qū)，包括第二柵極、第二有源層、第二源漏極；

其中，形成所述第一薄膜晶體管的第一有源層和形成所述第二薄膜晶體管的第二有源層的材料不同，所述第一有源層和所述第二有源層同層設(shè)置，所述第一源漏極和所述第二源漏極同層設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一柵極和所述第二柵極同層設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，形成所述第一有源層的材料包括氧化物半導(dǎo)體，形成所述第二有源層的材料包括低溫多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括第一絕緣層，所述第一絕緣層構(gòu)成所述第一薄膜晶體管的第一層間絕緣層和所述第二薄膜晶體管的第二層間絕緣層，在相鄰的所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管之間和/或相鄰的兩個(gè)所述第一薄膜晶體管之間，所述第一絕緣層具有第一鏤空區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層構(gòu)成所述第一薄膜晶體管的第一柵極絕緣層和所述第二薄膜晶體管的第二柵極絕緣層，所述第二絕緣層上具有第二鏤空區(qū)域，所述第二鏤空區(qū)域在所述襯底上的正投影與所述第一鏤空區(qū)域在所述襯底上的正投影重疊。

6.一種制作權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的陣列基板的方法，其特征在于，包括：

在襯底的第一表面上形成第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一有源層和第一源漏極，所述第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二有源層、第二源漏極，其中，所述第一源漏極和所述第二源漏極通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，包括：

通過(guò)第一構(gòu)圖工藝在所述第一表面上形成所述第二有源層；

通過(guò)第二構(gòu)圖工藝在所述第一表面上形成所述第一有源層；

在所述第一表面上形成覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層的第二絕緣層；

在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的表面上形成第一導(dǎo)體層；

通過(guò)第三構(gòu)圖工藝對(duì)所述第一導(dǎo)體層進(jìn)行第一圖案化處理，得到所述第二柵極和圖案化導(dǎo)體層，所述圖案化導(dǎo)體層在垂直方向上的正投影覆蓋顯示區(qū)在垂直方向上的正投影；

利用所述第二柵極和所述圖案化導(dǎo)體層為掩膜版，對(duì)所述第二有源層進(jìn)行摻雜處理；

通過(guò)第四構(gòu)圖工藝對(duì)所述圖案化導(dǎo)體層進(jìn)行第二圖案化處理，得到所述第一柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，還包括：

形成第一絕緣層的步驟；

通過(guò)一次所述構(gòu)圖工藝形成過(guò)孔的步驟，所述第一源漏極和所述第二源漏極分別通過(guò)所述過(guò)孔與所述第一有源層和所述第二有源層電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一絕緣層上的第一鏤空區(qū)域、所述第二絕緣層上的第二鏤空區(qū)域和所述過(guò)孔通過(guò)一次所述構(gòu)圖工藝形成。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的陣列基板。