[發明專利]一種納米柱傳感器、折射率檢測裝置及方法有效
| 申請號： | 201810859427.5 | 申請日： | 2018-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN109160483B | 公開（公告）日： | 2021-04-27 |
| 發明（設計）人： | 劉子維;史麗娜;浦探超;牛潔斌;李海亮;王冠亞;謝常青;劉明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B82Y20/00;G01N21/41 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 傳感器 折射率 檢測 裝置 方法 | ||
本申請公開一種納米柱傳感器、折射率檢測裝置及方法，所述納米柱傳感器包括：襯底、設置在所述襯底上的多個傳感單元；所述多個傳感單元在所述襯底上以預設間隔周期分布；所述多個傳感單元中的每個傳感單元包括多個納米柱；其中，入射光照射到所述多個傳感單元上時，根據所述多個傳感單元產生的磁共振信號來確定所述納米柱傳感器所在空間的背景折射率。上述方案，能夠提升納米柱傳感器的敏感度，且結構簡單，易實現。
技術領域
本發明涉及折射率探測領域，尤其涉及一種納米柱傳感器、折射率檢測裝置及方法。
背景技術
隨著科學技術的不斷發展，基于金屬的納米等離子體結構，例如金和銀納米結構被廣泛應用于折射率探測領域。這是由于這種結構能夠發生局部表面等離子體共振(Localized Surface Plasmon Resonance，LSPR)，即入射光線與金屬納米等離子體之間相互作用增強而產生的現象，傳感的關鍵機制是金屬納米粒子散射光譜對折射率變化敏感。但是，由于金屬納米等離子體的等離子體激元在金屬中經受耗散損失，導致寬共振，最終導致由金屬納米等離子結構構成的折射率傳感器的敏感度受到限制。
發明內容
本說明書實施例提供一種納米柱傳感器、折射率檢測裝置及方法。
本說明書實施例的第一方面，提供一種納米柱傳感器，所述傳感器包括：
襯底和設置在所述襯底上的多個傳感單元；
所述多個傳感單元在所述襯底上以預設間隔周期分布；
所述多個傳感單元中的每個傳感單元包括多個納米柱；
其中，入射光照射到所述多個傳感單元上時，根據所述多個傳感單元產生的磁共振信號來確定所述納米柱傳感器所在空間的背景折射率。
可選地，所述多個傳感單元沿第一方向以及第二方向呈陣列式周期分布，所述第一方向與所述第二方向垂直，其中，在所述第一方向上相鄰的兩個傳感單元之間的距離滿足第一距離范圍，在所述第二方向上相鄰的兩個傳感單元之間的距離滿足第二距離范圍。
可選地，所述每個傳感單元包括兩個納米柱。
可選地，所述兩個納米柱之間的距離小于30nm。
可選地，所述納米柱為圓柱形。
可選地，所述兩個納米柱的底面直徑相同，且所述直徑的范圍為50nm～300nm。
可選地，所述襯底為折射率小于一閾值的襯底。
本說明書實施例的第二方面，提供一種折射率檢測裝置，所述折射率檢測裝置包括：
光源和如本說明書實施例第一方面提供的納米柱傳感器；
所述納米柱傳感器位于目標空間內；
所述光源產生的入射光射入到所述納米柱傳感器中；
所述納米柱傳感器用于檢測所述目標空間的背景折射率。
可選地，所述折射率檢測裝置還包括：
控制器，與所述光源連接，用于控制所述光源產生預設偏振方向的入射光，以使所述納米柱傳感器基于所述預設偏振方向的入射光檢測所述背景折射率。
本說明書實施例的第三方面，提供一種背景折射率的確定方法，所述方法應用于本說明書實施例第一方面提供的納米柱傳感器中，所述納米柱傳感器設置在目標空間中，所述方法包括：
在入射光照射到所述納米柱傳感器的多個傳感單元上時，獲取所述多個傳感單元產生的磁共振信號；
根據所述磁共振信號，確定所述目標空間的背景折射率。
本說明書實施例有益效果如下：
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所，未經中國科學院微電子研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810859427.5/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
