[發明專利]一種移動終端及其天線的制備方法

有效

• 申請號: 201810858567.0
• 申請日: 2018-07-31
• 公開（公告）號: CN110784564B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 楊育展;李建銘;王漢陽;余冬;廖奕翔;楊小麗;尤佳慶
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H04M1/02
• 分類號: H04M1/02;H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q1/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種移動終端，其特征在于，包括：

移動終端主體，包括電路板，所述電路板上設置有絕緣的支架；

絕緣背殼，與所述移動終端主體蓋合，所述絕緣背殼包括朝向移動終端主體的絕緣背殼內側，所述絕緣背殼內側覆蓋有絕緣膜層；以及

天線，所述天線包括：

饋源，設置在所述電路板上；

導電件，設置在所述電路板的所述支架上，并與所述饋源電連接；

輻射單元，印制在所述絕緣膜層上，所述輻射單元與所述導電件耦合連接，所述輻射單元與所述導電件之間具有間隙。

2.根據權利要求1所述的移動終端，其特征在于，所述饋源通過所述導電件，并通過所述間隙為所述輻射單元饋電。

3.根據權利要求1或2所述的移動終端，其特征在于，所述輻射單元的阻抗小于3歐姆。

4.根據權利要求1或2所述的移動終端，其特征在于，所述輻射單元為金屬線。

5.根據權利要求4所述的移動終端，其特征在于，所述金屬線為銀線。

6.根據權利要求4所述的移動終端，其特征在于，所述金屬線的厚度介于1～200μm，且所述金屬線的阻抗小于3歐姆或金屬線路方阻小于1歐姆/□。

7.根據權利要求1所述的移動終端，其特征在于，所述絕緣背殼為玻璃背殼。

8.根據權利要求1所述的移動終端，其特征在于，所述絕緣膜層為油墨膜層、裝飾膜層或防爆膜層。

9.根據權利要求1所述的移動終端，其特征在于，所述天線還包括地，所述地設置在所述電路板上，所述導電件與所述地電連接。

10.根據權利要求9所述的移動終端，其特征在于，所述導電件為設置在所述支架上的金屬線；其中，所述金屬線的一端與所述饋源電連接，另一端與所述輻射單元耦合連接；或，

所述金屬線的一端與所述地電連接，另一端與所述輻射單元耦合連接；或，

所述金屬線的一端與所述饋源電連接，另一端與所述地電連接，且所述金屬線與所述輻射單元耦合連接。

11.根據權利要求9所述的移動終端，其特征在于，

所述導電件為金屬彈片，其中，所述金屬彈片的一端與所述饋源電連接，另一端與所述輻射單元耦合連接；或，

所述金屬彈片的一端與所述地電連接，另一端與所述輻射單元耦合連接；或，

所述金屬彈片的一端與所述饋源電連接，另一端與所述地電連接，且所述金屬彈片與所述輻射單元耦合連接。

12.根據權利要求11所述的移動終端，其特征在于，所述金屬彈片為倒置的L形或倒置的U形的金屬彈片。

13.一種移動終端的天線的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在絕緣膜層上印制輻射單元，具體為：

將銀漿噴涂到在所述絕緣膜層上；再

將銀漿與絕緣膜層于50～200度下烘烤30～60分鐘，形成金屬線；

將絕緣膜層貼附到絕緣背殼的內側，

在電路板上制備饋源及地；

在所述饋源和/或所述地上電連接導電件，所述導電件與所述輻射單元耦合連接，所述輻射單元與所述導電件之間具有間隙。

14.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述銀漿包括銀粉50-99wt％；所述銀漿黏度10-20000cps。

15.根據權利要求13所述的制備方法，其特征在于，所述金屬線的厚度介于1～200μm，且所述金屬線的阻抗小于3歐姆或金屬線路方阻小于1歐姆/□。