[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201810858106.3 | 申請日: | 2018-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN108922911A | 公開(公告)日: | 2018-11-30 |
| 發明(設計)人: | 崔銳利;彭超;王永志;彭濤 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示面板 有機緩沖層 顯示裝置 信號走線 彎折區 金屬層圖案 凹凸結構 襯底基板 器件放置 驅動單元 彎折 | ||
本發明實施例提供的一種顯示面板和顯示裝置,通過在顯示面板的襯底基板上是額外設置有機緩沖層。在彎折區,將該有機緩沖層進行凹凸結構設計形成多個“谷”和“脊”,將顯示面板的驅動單元中的面積占比較大的器件放置在“脊”位置上,從而避免在彎折操作中面積占比較大的器件會造成應力過大的問題。同時將應力較小的各類信號走線(金屬層圖案化形成)設置在“谷”的位置。通過將器件和信號走線分別設置在有機緩沖層的“谷”和“脊”的位置的,從而降低彎折區的應力。
【技術領域】
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。
【背景技術】
目前,顯示技術滲透到了人們日常生活的各個方面,相應地,越來越多的材料和技術被用于顯示屏。當今,主流的顯示屏主要有液晶顯示屏以及有機發光二極管顯示屏。其中,由于有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode)顯示屏的自發光性能,相比于液晶顯示屏省去了最耗能的背光模組,因此具有更節能的優點;另外,有機發光二極管顯示屏還具有柔性可彎折的特點,通過采用柔性基板,在柔性基板上依次形成的多個導電層,包括薄膜晶體管驅動陣列層、陽極層、有機發光層、陰極層,以及薄膜封裝層,使得OLED顯示屏具有優良的可彎折性能。
隨著用戶對顯示終端產品的柔性可彎折或折疊性能的需求越來越旺盛,對柔性顯示產品性能的穩定性和耐彎折次數也是要求越來越高,特別是對于彎折區的驅動陣列膜層和發光單元的設計帶來越來越多的挑戰。
【發明內容】
有鑒于此,本發明實施例提供了一種顯示面板及顯示裝置,通過在顯示面板的柔性襯底基板上額外多設置一層有機緩沖層,并在彎折區通過對該有機層進行抗彎折結構設計,從而降低了彎折區的應力,提升耐彎折性。
一方面,本發明實施例提供了一種顯示面板,該顯示面板包括彎折區,所述顯示面板包括柔性襯底基板和多個顯示單元,所述顯示單元至少包括驅動晶體管和存儲電容;
所述顯示面板還包括第一緩沖層,所述第一緩沖層位于所述柔性襯底基板與所述顯示單元之間;
在所述顯示面板的彎折區,所述第一緩沖層包括多個連續設置的凹凸結構;所述凹凸結構包括凹部和凸部;
所述驅動晶體管和/或所述存儲電容與所述凸部對應設置。
優選地,所述第一緩沖層包括有機高分子材料;所述第一緩沖層的彈性模量小于等于5Gpa;所述第一緩沖層的厚度范圍為2~8μm。
優選地,所述第一緩沖層與所述柔性襯底基板由相同材料形成;所述第一緩沖層的厚度大于所述柔性襯底基板的厚度。
優選地,所述凹部的開口深度為2~8μm;所述凹部的橫截面呈近似三角形,所述凹部具有第一夾角,所述第一夾角小于60°。
優選地,所述凹部的橫截面呈近似梯形、半圓形或鋸齒狀等。
優選地,所述顯示單元還包括多個開關晶體管,所述開關晶體管的面積小于所述驅動晶體管的面積;所述開關晶體管與所述凸部對應設置。
優選地,所述顯示面板還包括金屬層和無機絕緣層;所述無機絕緣層覆蓋所述第一緩沖層;所述金屬層覆蓋所述無機絕緣層。
優選地,所述顯示面板還包括多條由所述金屬層圖案化形成的金屬走線;所述金屬走線與所述凹凸結構的凹部對應設置。
優選地,所述顯示面板還包括非彎折區;在所述非彎折區,所述第一緩沖層為均一化結構,所述第一緩沖層中無所述凹凸結構設置。
優選地,所述顯示面板還包括位于所述第一緩沖層和所述柔性襯底基板之間的第二無機緩沖層;所述第二無機緩沖層包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的一種或多種材料。
優選地,所述顯示面板為柔性可彎折顯示面板,所述顯示面板的彎折曲率半徑為0.3mm~1.0mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





