[發(fā)明專利]將導體焊接到鋁金屬化物有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810856761.5 | 申請日： | 2018-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN109326530B | 公開（公告）日： | 2023-06-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | A·海因里希;李五湖;R·奧特倫巴;W·賴斯;E·里德爾 | 申請（專利權）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德國瑙伊*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導體 焊接 金屬化 | ||
1.一種將導體焊接到鋁金屬化物的方法，所述方法包括：
用替代金屬氧化物層或替代金屬合金氧化物層替代所述鋁金屬化物上的鋁氧化物層；
至少部分地還原所述替代金屬氧化物層中的或所述替代金屬合金氧化物層中的替代金屬氧化物，其中，所述至少部分地還原包括在升高的溫度下將還原氣體施加到所述替代金屬氧化物層或所述替代金屬合金氧化物層；以及
使用焊料材料將所述導體焊接到所述鋁金屬化物上。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述替代金屬氧化物層的替代金屬是Zn、Cr、Cu、Pb和Sn中的一種。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，替代包括通過電化學沉積工藝或通過無電沉積工藝在所述鋁氧化物層之上沉積所述替代金屬。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述替代金屬合金氧化物層的替代金屬合金包括Zn、Cr、V、Cu、Pb、Sn和Mo中的至少兩種元素。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中，替代包括通過電化學沉積工藝或通過無電沉積工藝在所述鋁氧化物層之上沉積所述替代金屬合金。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，替代包括將氫氟酸(HF)和甲磺酸(MSA)中的一種或兩種施加到所述鋁氧化物層。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，替代包括經(jīng)由等離子體工藝將鹵化物施加到所述鋁氧化物層。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述還原氣體包括H2、CH2O2、乙醇、丙醇、丙酮中的一種或兩種以上。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述升高的溫度等于或小于500℃。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述至少部分地還原包括在將所述導體焊接到所述鋁金屬化物期間施加低活化助焊劑。
11.一種將導體焊接到鋁金屬化物的方法，所述方法包括：
用替代金屬氧化物層或替代金屬合金氧化物層替代所述鋁金屬化物上的鋁氧化物層；
將助焊劑材料施加到所述替代金屬氧化物層或所述替代金屬合金氧化物層；以及
使用焊料材料將所述導體焊接到所述鋁金屬化物上。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述助焊劑材料在將導體焊接到鋁金屬化物的過程中施加。
13.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述替代金屬氧化物層的替代金屬是Zn、Cr、Cu、Pb和Sn中的一種。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，替代包括通過電化學沉積工藝在所述鋁氧化物層之上沉積所述替代金屬。
15.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，替代包括通過無電沉積工藝在所述鋁氧化物層之上沉積所述替代金屬。
16.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述替代金屬合金氧化物層的替代金屬合金包括Zn、Cr、V、Cu、Pb、Sn和Mo中的至少兩種元素。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中，替代包括通過電化學沉積工藝在所述鋁氧化物層之上沉積所述替代金屬合金。
18.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中，替代包括通過無電沉積工藝在所述鋁氧化物層之上沉積所述替代金屬合金。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
