[發(fā)明專利]一種太陽能電池及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201810855742.0
• 申請日: 2018-07-31
• 公開（公告）號: CN108987505A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張俊兵;陳孝業(yè);何自娟
• 申請（專利權(quán)）人: 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0216
• 代理公司: 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波;劉艷麗

1.一種太陽能電池，包括硅基體(1)，其特征是：所述硅基體(1)中設(shè)有選擇性摻雜區(qū)域(2)，所述選擇性摻雜區(qū)域(2)包括摻雜區(qū)域(21)和非摻雜區(qū)域(22)，所述選擇性摻雜區(qū)域(2)的表面上設(shè)有鈍化介質(zhì)層(3)，所述鈍化介質(zhì)層(3)上設(shè)有多晶硅薄膜(4)，在所述多晶硅薄膜(4)上且在與所述摻雜區(qū)域(21)對應(yīng)的位置處設(shè)有金屬接觸電極(5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征是：所述多晶硅薄膜(4)為摻雜多晶硅薄膜，所述摻雜區(qū)域(21)和摻雜多晶硅薄膜中的摻雜元素相同，所述摻雜元素為硼或磷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征是：所述摻雜區(qū)域(21)中摻雜元素的摻雜濃度為1.0E¹⁸atoms/cm³～1.0E²⁰atoms/cm³，摻雜深度為0.1～2μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征是：所述摻雜區(qū)域(21)和非摻雜區(qū)域(22)相互交替分布在所述硅基體(1)中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征是：所述鈍化介質(zhì)層(3)為二氧化硅、二氧化鈦和氮氧化硅中一種單層膜或幾種的疊層膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其特征是：所述鈍化介質(zhì)層(3)的厚度為0.5nm～2.5nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征是：所述多晶硅薄膜(4)的厚度為5nm～500nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的太陽能電池，其特征是：所述多晶硅薄膜(4)上還設(shè)有鈍化層(6)，所述金屬接觸電極(5)位于所述鈍化層(6)上且與所述摻雜區(qū)域(21)相對應(yīng)位置處。

9.權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征是包括以下步驟：

S1、選取硅基體(1)，清洗后對硅基體(1)上的選擇性摻雜區(qū)域(2)進行離子注入或激光局部摻雜，形成摻雜區(qū)域(21)和非摻雜區(qū)域(22)；

S2、清洗后，在選擇性摻雜區(qū)域(2)的表面上制備鈍化介質(zhì)層(3)；

S3、在鈍化介質(zhì)層(3)的表面上沉積多晶硅薄膜(4)；

S4、在多晶硅薄膜(4)表面進行摻雜及退火，形成摻雜多晶硅薄膜；

S5、去除退火后在摻雜多晶硅薄膜表面生長的氧化層；

S6、在摻雜多晶硅薄膜表面上對應(yīng)所述摻雜區(qū)域(21)位置處設(shè)置金屬接觸電極(5)。

10.權(quán)利要求1所述的鈍化接觸太陽能電池的制備方法，其特征是包括以下步驟：

S1、選取硅基體(1)，清洗后對硅基體(1)上的選擇性摻雜區(qū)域(2)進行離子注入，退火激活注入原子實現(xiàn)摻雜，形成摻雜區(qū)域(21)和非摻雜區(qū)域(22)；

S2、去除表面的氧化層，在選擇性摻雜區(qū)域(2)的表面上制備鈍化介質(zhì)層(3)；

S3、在鈍化介質(zhì)層(3)的表面上沉積多晶硅薄膜(4)；

S4、在多晶硅薄膜(4)表面進行摻雜及退火，形成摻雜多晶硅薄膜；

S5、去除退火后在摻雜多晶硅薄膜表面生長的氧化層；

S6、在摻雜多晶硅薄膜表面上對應(yīng)所述摻雜區(qū)域(21)位置處設(shè)置金屬接觸電極(5)。