[發明專利]提純多晶硅的裝置

在審

• 申請號: 201810853204.8
• 申請日: 2018-07-30
• 公開（公告）號: CN108823637A
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 王書杰;孟靜
• 申請（專利權）人: 孟靜
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/08;C30B28/06;C25B1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種提純多晶硅的裝置，其特征在于：包括爐體（4），所述爐體（4）的底部設置有坩堝桿（16），所述坩堝桿（16）的下端位于所述爐體（4）外，所述坩堝桿（16）的上端位于所述爐體（4）內，坩堝桿（16）的上端固定有坩堝支撐（7），所述坩堝支撐（7）內設置有多功能電解槽坩堝（6），所述坩堝包括位于下側的坩堝籽晶部（6-3）、位于中部的坩堝晶體生長部（6-2）以及位于上側的坩堝電解部（6-1），所述坩堝電解部（6-1）的直徑大于所述坩堝晶體生長部（6-2）的直徑，所述坩堝晶體生長部（6-2）的直徑大于所述坩堝籽晶部（6-3）的直徑，所述坩堝支撐（7）與所述多功能電解槽坩堝（6）相適配，與所述坩堝籽晶部（6-3）相接觸的坩堝支撐（7）的外側設置有區域提純用感應線圈（18），所述區域提純用感應線圈（18）通過感應線圈支撐（17）進行支撐，且所述感應線圈支撐（18）上設置有線圈上下驅動裝置，用于驅動所述感應線圈支撐（17）帶動所述感應線圈（18）上下運動，對坩堝晶體生長部（6-2）內的多晶硅（25）進行區域提純；

與所述坩堝晶體生長部（6-2）相接觸的坩堝支撐（7）的外側從下到上設置有第一加熱器（14）和第二加熱器（13），所述坩堝籽晶部（6-3）與坩堝晶體生長部（6-2）的交匯處設置有第一水平過渡連接部，所述坩堝晶體生長部（6-2）與所述坩堝電解部（6-1）的交匯處設置有第二水平過渡連接部，與所述第二水平過渡連接部相接觸的坩堝支撐（7）上設置有第三加熱器（12），與所述坩堝電解部（6-1）相接觸的坩堝支撐（7）的外側從下到上設置有第四加熱器（11）和第五加熱器（10），位置分別與銅-硅熔體（9）及二氧化硅熔鹽（8）的位置相對應；第一至第五加熱器的外側設置有磁感應器（19），所述磁感應器（19）用于對所述坩堝電解部（6-1）內的物料進行電磁攪拌，所述磁感應器（19）的上側面低于二氧化硅熔鹽（8）的上表面，高于二氧化硅熔鹽（8）與硅-銅熔體（9）的界面，所述磁感應器（19）的下側面低于坩堝晶體生長部（6-2）與所述坩堝電解部（6-1）的交匯處，高于硅籽晶（26）與硅-銅熔體（9）的界面，所述坩堝電解部（6-1）內設置有石墨電極陽極（5）和石墨電極陰極（20），所述坩堝電解部（6-1）上側的所述爐體（4）上設置有粗二氧化硅承載器（24），所述粗二氧化硅承載器（24）用于承載粗二氧化硅（23）。

2.如權利要求1所述的提純多晶硅的裝置，其特征在于：所述第一加熱器（14）和第二加熱器（13）分別包括兩個半環型的加熱器；且左半環的第一加熱器與左半環的第二加熱器上下固定連接，右半環的第一加熱器與右半環的第二加熱器上下固定連接，左半環的第一加熱器和右半環的第一加熱器上分別固定連接有加熱器移動裝置（15），所述加熱器移動裝置（15）用于驅動左半環的第一加熱器和右半環的第一加熱器水平運動。

3.如權利要求1所述的提純多晶硅的裝置，其特征在于：所述石墨電極陰極（20）包括第一豎桿部（20-1）和圓環部（20-2），所述第一豎桿（20-1）的下端與所述圓環部（20-2）固定連接，所述圓環部（20-2）的外徑與所述坩堝電解部（6-1）的內徑相適配，所述圓環部（20-2）的內徑與所述坩堝晶體生長部（6-2）的內徑相適配。

4.如權利要求3所述的提純多晶硅的裝置，其特征在于：所述第一豎桿部（20-1）的上端與第一電極桿（21）的下端固定連接，所述第一電極桿（21）的上端延伸至所述爐體（4）外。

5.如權利要求3所述的提純多晶硅的裝置，其特征在于：所述石墨電極陽極（5）包括第二豎桿部（5-1）和圓餅部（5-2），所述第二豎桿（5-1）的下端與所述圓餅部（5-2）的中心固定連接，所述圓餅部（5-2）的外徑小于所述坩堝電解部（6-1）的內徑，且大于所述坩堝晶體生長部（6-2）的內徑。

6.如權利要求5所述的提純多晶硅的裝置，其特征在于：所述第二豎桿部（5-1）的上端與第二電極桿（1）的下端固定連接，所述第二電極桿（1）的上端延伸至所述爐體（4）外。