[發明專利]一種載波通信防干擾倒灌電路有效
| 申請號： | 201810852716.2 | 申請日： | 2018-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN110784207B | 公開（公告）日： | 2023-08-29 |
| 發明（設計）人： | 羅克清;朱永權;杜波;朱旭權 | 申請（專利權）人： | 北京飛利信信息安全技術有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185;H03K17/687 |
| 代理公司： | 無錫智麥知識產權代理事務所(普通合伙) 32492 | 代理人： | 王普慧 |
| 地址： | 100191 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 載波通信 干擾 倒灌 電路 | ||
1.一種載波通信防干擾倒灌電路，包括功放1，隔直電容2，耦合線圈3，安規電容4，NMOS管5，NMOS管6，電阻7，二極管8，電容9，PNP三極管10，電阻11，電阻12，TVS管13；NMOS管5，NMOS管6，電阻7，二極管8，電容9，PNP三極管10，電阻11，電阻12共同組成開關電路；其特征在于，NMOS管5的源端S接隔直電容2，漏端D與NMOS管6的漏端D連接，NMOS管6的源端S接耦合線圈3的低壓側，電阻7一端接NMOS管6的源端S，電阻7另一端和二極管8的N極串聯，二極管8的P極連接NMOS管5和NMOS管6的柵極G，電容9一端接兩個NMOS管柵極G，另一端接地，PNP三極管10的集電極與兩個NMOS管柵極G相連，PNP三極管10的基極與電阻11相連，PNP三極管10的發射極連接到電源VDD，電阻11的另一端與電阻12相連，接到功放工作使能端PA_EN，電阻12的另一端連接到電源VDD；PA_EN信號低電平讓功放1工作，同時使PNP三極管10打開，使NMOS管的柵極電壓為VDD，開關打開；PA_EN信號高電平讓關閉功放1，同時使PNP三極管10關閉，NMOS管的柵極電荷通過電阻7、二極管8和線圈接地泄放；電阻7、二極管8和電容9組成一個半波整流穩壓電路，使得NMOS管的柵極電壓為負值，徹底關閉開關；電路通過電阻7進行限流。
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