[發(fā)明專利]寬帶天線裝置及移動終端有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810852633.3 | 申請日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN109004367B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 宋博;張學飛 | 申請(專利權(quán))人: | 南昌黑鯊科技有限公司 |
| 主分類號: | H01Q5/10 | 分類號: | H01Q5/10;H01Q5/28;H01Q5/328;H01Q5/314;H01Q1/36;H01Q1/44;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q7/00;H01Q1/24 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 寬帶 天線 裝置 移動 終端 | ||
本發(fā)明提供寬帶天線裝置,包括:金屬環(huán)、天線輻射體、第一接地端、第二接地端及饋點,在金屬環(huán)的端部設置有第一縫隙與第二縫隙,在金屬環(huán)的第一縫隙與第二縫隙之間設置有倒F天線,在饋點的通路上設有匹配電路,饋點經(jīng)由匹配電路電連接至天線輻射體,第一接地端經(jīng)由第一開關與天線輻射體電連接,第二接地端經(jīng)由第一電感與天線輻射體電連接,且第一接地端、第二接地端及饋點經(jīng)由印刷電路板接地,本發(fā)明還提供移動終端。本發(fā)明提供的寬帶天線裝置及移動終端,能夠使得金屬環(huán)天線可利用同一位置的第一開關同時對低頻、中頻和高頻進行調(diào)諧,減少開關等可調(diào)器件的使用數(shù)量,同時提高了金屬環(huán)天線的性能,滿足不同載波聚合的需求。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及移動通信技術(shù)領域,尤其涉及一種寬帶天線裝置及移動終端。
背景技術(shù)
隨著用戶對手機外觀的美觀度的追求,手機外觀的設計方向逐漸開始往金屬環(huán)配合玻璃后殼或新型材料后殼方向發(fā)展。目前,金屬環(huán)外觀的手機的天線設計主要是利用金屬環(huán),并輔以柔性電路板(Flexible Printed Circuit Board,F(xiàn)PC)與激光直線成型技術(shù)(Laser Direct structuring,LDS)等技術(shù)來實現(xiàn)。
現(xiàn)有技術(shù)中的金屬環(huán)天線技術(shù)通常是在金屬環(huán)上下部分別開設兩個或者四個縫寬為1.5mm或者2mm的縫隙來實現(xiàn),然而縫隙的寬度較寬和較多的縫隙使手機在外觀上顯得不美觀。并且現(xiàn)有技術(shù)中的金屬環(huán)天線技術(shù)在高頻部分通常需要較多的開關和可調(diào)器件來實現(xiàn)足夠的帶寬,這樣會導致在開關切換的過程中對金屬環(huán)天線的性能造成損失,同時對一些載波聚合(Carrier Aggregation,CA)的需求也難以滿足。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種寬帶天線裝置,通過使用較少的開關和電子元器件來提高了天線工作頻段的帶寬。
本發(fā)明實施例提供了一種寬帶天線裝置,所述寬帶天線裝置包括:金屬環(huán)、天線輻射體、第一接地端、第二接地端及饋點,在所述金屬環(huán)的端部設置有第一縫隙與第二縫隙,在所述金屬環(huán)的所述第一縫隙與所述第二縫隙之間設置有倒F天線,在所述饋點的通路上設有匹配電路,所述饋點經(jīng)由所述匹配電路電連接至所述天線輻射體,所述第一接地端經(jīng)由第一開關與所述天線輻射體電連接,所述第二接地端經(jīng)由第一電感與所述天線輻射體電連接,且所述第一接地端、所述第二接地端及所述饋點經(jīng)由印刷電路板接地。
具體地,在靠近所述金屬環(huán)的第一側(cè)邊處設置有多個第一接地點,在靠近所述金屬環(huán)與所述第一側(cè)邊相對的第二側(cè)邊處設置有多個第二接地點,所述天線輻射體分別與所述多個第一接地點及所述多個第二接地點電連接,且所述多個第一接地點與所述多個第二接地點經(jīng)由印刷電路板接地。
具體地,所述金屬環(huán)在所述第一接地點處設有環(huán)天線,從所述饋點到所述第一縫隙的倒F天線的1/4倍波長模式形成天線的低頻諧振;從所述饋點經(jīng)過所述第一縫隙耦合到第一接地點的環(huán)天線1/2的倍波長模式形成天線的第一中高頻;從所述饋點到所述第二縫隙的倒F天線1/4的倍波長模式形成天線的第二中高頻;從所述饋點經(jīng)過所述第一縫隙耦合到所述第一接地點的環(huán)天線的高次模形成天線的第三中高頻。
具體地,所述第二接地端經(jīng)由第二開關電連接至不同的第一電感,以對所述第二中高頻進行調(diào)諧。
具體地,所述第二接地端經(jīng)由第二開關加載第三電容,所述金屬環(huán)在所述第二接地點處設有環(huán)天線,以從所述饋點經(jīng)過所述第二縫隙耦合到第二接地點的環(huán)天線模式。
具體地,所述第二接地端還經(jīng)由第二電容與天線輻射體電連接,以將從所述饋點經(jīng)過所述第二縫隙耦合到所述第二接地點的環(huán)天線模式加載到預設的頻段范圍內(nèi)。
具體地,所述第一開關經(jīng)由不同的第一電容與第二電感接地,以對低頻和中高頻進行加載。
具體地,所述第一開關通過加載不同的第二電感或第一電容對所述低頻和所述中高頻進行調(diào)諧。
具體地,所述第一縫隙與所述第二縫隙的縫隙寬度為0.8mm~1.2mm。
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