[發(fā)明專利]電磁屏蔽膜、線路板及電磁屏蔽膜的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810852597.0
• 申請(qǐng)日: 2018-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN110769675A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇陟;張美娟;朱海萍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州方邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K9/00
• 分類號(hào): H05K9/00;H05K1/02;C09J7/29;C09J9/02
• 代理公司: 44202 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 梁順宜;郝傳鑫

1.一種電磁屏蔽膜，其特征在于，包括第一屏蔽層、導(dǎo)電膠層、第二屏蔽層和膠膜層，所述第一屏蔽層、所述導(dǎo)電膠層、所述第二屏蔽層和所述膠膜層依次層疊設(shè)置，所述第二屏蔽層靠近所述膠膜層的一面為非平整表面。

2.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層靠近所述膠膜層的一面包括多個(gè)凸部和多個(gè)凹陷部，多個(gè)所述凸部和多個(gè)所述凹陷部間隔設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二屏蔽層靠近所述膠膜層的一面上設(shè)有凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒。

4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一屏蔽層的厚度為0.1μm-45μm，所述第二屏蔽層的厚度為0.1μm-45μm，所述導(dǎo)電膠層的厚度為1μm-80μm，所述膠膜層的厚度為1μm-80μm。

5.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述膠膜層包括含有導(dǎo)電粒子的黏著層；或，所述膠膜層包括不含導(dǎo)電粒子的黏著層。

6.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括保護(hù)膜層，所述保護(hù)膜層設(shè)于所述第一屏蔽層遠(yuǎn)離所述膠膜層的一面上。

7.一種線路板，其特征在于，包括線路板本體以及如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜，所述電磁屏蔽膜通過所述膠膜層與所述線路板本體相壓合；所述第二屏蔽層刺穿所述膠膜層并與所述線路板本體的地層電連接。

8.一種電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成第一屏蔽層；

在所述第一屏蔽層上形成導(dǎo)電膠層；

在所述導(dǎo)電膠層上形成第二屏蔽層；

在所述第二屏蔽層上形成膠膜層；

其中，所述第二屏蔽層靠近所述膠膜層的一面為非平整表面。

9.如權(quán)利要求8所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，所述形成第一屏蔽層，具體包括：

在載體膜上形成保護(hù)膜層；

在所述保護(hù)膜層上形成第一屏蔽層；或，

在帶載體的可剝離層表面形成第一屏蔽層；

在所述第一屏蔽層上形成保護(hù)膜層；

將所述帶載體的可剝離層剝離。

10.如權(quán)利要求8所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電膠層上形成第二屏蔽層，具體包括：

通過物理打毛、化學(xué)鍍、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍和混合鍍中的一種或多種工藝在所述導(dǎo)電膠層上形成第二屏蔽層。

11.如權(quán)利要求8-10任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述導(dǎo)電膠層上形成第二屏蔽層后還包括：

在所述第二屏蔽層上形成凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒。

12.如權(quán)利要求11所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述第二屏蔽層上形成凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒，具體包括：

通過物理打毛、化學(xué)鍍、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍和混合鍍中的一種或多種工藝在所述第二屏蔽層上形成凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒。

13.如權(quán)利要求8-10任一項(xiàng)所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述第二屏蔽層上形成膠膜層，具體為：

在離型膜上涂布膠膜層；

將所述膠膜層壓合轉(zhuǎn)移至所述第二屏蔽層上；或，

在所述第二屏蔽層上涂布膠膜層。