[發明專利]一種基于CdTe/ZnO納米異質結結構的NO2氣敏傳感器的制備方法在審
| 申請號： | 201810852258.2 | 申請日： | 2018-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN109030578A | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發明（設計）人： | 李正操;王亞子;李明陽;馮一盟 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12;G01N21/63;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人： | 張文寶 |
| 地址： | 100084 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氣敏傳感器 制備 納米異質結 晶種層 連續離子層吸附反應 射頻磁控濺射法 單晶硅 異質結結構 異質結效應 薄膜電極 表面涂覆 費米能級 高靈敏度 連接導線 納米顆粒 納米效應 氣敏性能 低成本 水熱法 構建 基底 濺射 修飾 合成 生長 響應 應用 研究 | ||
1.一種基于CdTe/ZnO納米異質結結構的NO2氣敏傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)對單晶硅基底進行清洗預處理；
(2)在步驟(1)預處理后的單晶硅基底上利用射頻磁控濺射法生長氧化鋅晶種層；
(3)利用水熱法在步驟(2)所得晶種層上生長氧化鋅納米線陣列；
(4)分別配置含Cd離子和Te離子的前驅體溶液；
(5)將步驟(3)所得氧化鋅納米線陣列分別置于步驟(4)配置的前驅體溶液中浸泡通過連續離子層吸附反應法得到CdTe/ZnO納米異質結結構；
(6)在步驟(5)所得CdTe/ZnO納米異質結結構表面涂覆Ag薄膜電極，牽引導線制備成NO2氣敏傳感器。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)中所述預處理包括將單晶硅基底置于丙酮、乙醇和去離子水中進行超聲清洗15min。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(2)中控制工作氣體中氬氣與氧氣的流量比為3：1。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(3)中所述水熱制備氧化鋅納米線陣列，以Zn(NO3)2·6H2O和HTMA為原料配置成等濃度的反應溶液，在可控溫磁力攪拌器中進行水熱生長法反應，溫度為80～100℃，水熱生長時間為3～8h。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(4)中是將Cd(CH3COO)2·2H2O和Na2TeO3分別作為Cd離子源和Te離子源，分別配成等濃度的反應溶液，并在Na2TeO3溶液中加入水合肼和氨水將溶液pH值調整為7～11。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(5)中所述浸泡的時間均為1～60s,用去離子水沖洗以實現CdTe納米顆粒的均勻沉積。
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