[發明專利]電磁屏蔽膜、線路板及電磁屏蔽膜的制備方法

在審

• 申請號: 201810852114.7
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN110769674A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 蘇陟
• 申請（專利權）人: 廣州方邦電子股份有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 44202 廣州三環專利商標代理有限公司
• 代理人: 梁順宜;郝傳鑫

1.一種電磁屏蔽膜，其特征在于，包括第一屏蔽層、絕緣層、第二屏蔽層和膠膜層，所述第一屏蔽層、所述絕緣層、所述第二屏蔽層和所述膠膜層依次層疊設置，所述絕緣層上具有孔隙，所述第一屏蔽層與所述第二屏蔽層通過所述孔隙相互接觸實現電導通，所述第二屏蔽層靠近所述膠膜層的一面為平整表面，且所述第二屏蔽層靠近所述膠膜層的一面上設有凸狀的導體顆粒。

2.如權利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述導體顆粒包括金屬顆粒、碳納米管顆粒和鐵氧體顆粒中的一種或多種。

3.如權利要求2所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述金屬顆粒包括單金屬顆粒和/或合金顆粒；其中，所述單金屬顆粒由鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀和金中的任意一種材料制成，所述合金顆粒由鋁、鈦、鋅、鐵、鎳、鉻、鈷、銅、銀和金中的任意兩種或兩種以上的材料制成。

4.如權利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述導體顆粒的形狀相同，和/或，所述導體顆粒的間距相同。

5.如權利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述導體顆粒的高度為0.1μm-30μm。

6.如權利要求1-5任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一屏蔽層的厚度為0.1μm-45μm，所述第二屏蔽層的厚度為0.1μm-45μm，所述絕緣層的厚度為1μm-80μm，所述膠膜層的厚度為1μm-80μm。

7.如權利要求1-5任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述膠膜層包括含有導電粒子的黏著層；或，所述膠膜層包括不含導電粒子的黏著層。

8.如權利要求1-5任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括保護膜層，所述保護膜層設于所述第一屏蔽層遠離所述膠膜層的一面上。

9.一種線路板，其特征在于，包括線路板本體以及如權利要求1-8任一項所述的電磁屏蔽膜，所述電磁屏蔽膜通過所述膠膜層與所述線路板本體相壓合；所述導體顆粒刺穿所述膠膜層并與所述線路板本體的地層電連接。

10.一種電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成第一屏蔽層；

在所述第一屏蔽層上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成第二屏蔽層；其中，所述第二屏蔽層遠離所述絕緣層的一面為平整表面；

在所述第二屏蔽層上形成凸狀的導體顆粒；

在所述第二屏蔽層形成有導體顆粒的一面上形成膠膜層；

其中，所述絕緣層上具有孔隙，所述第一屏蔽層與所述第二屏蔽層通過所述孔隙相互接觸實現電導通。

11.如權利要求10所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，所述形成第一屏蔽層，具體包括：

在載體膜上形成保護膜層；

在所述保護膜層上形成第一屏蔽層；或，

在帶載體的可剝離層表面形成第一屏蔽層；

在所述第一屏蔽層上形成保護膜層；

將所述帶載體的可剝離層剝離。

12.如權利要求10所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成第二屏蔽層，具體包括：

通過物理打毛、化學鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸發鍍、濺射鍍、電鍍和混合鍍中的一種或多種工藝在所述絕緣層上形成第二屏蔽層。

13.如權利要求10-12任一項所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述第二屏蔽層上形成凸狀的導體顆粒，具體包括：

通過物理打毛、化學鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉積、蒸發鍍、濺射鍍、電鍍和混合鍍中的一種或多種工藝在所述第二屏蔽層上形成凸狀的導體顆粒。

14.如權利要求10-12任一項所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述第二屏蔽層形成有導體顆粒的一面上形成膠膜層，具體為：

在離型膜上涂布膠膜層；

將所述膠膜層壓合轉移至所述第二屏蔽層形成有導體顆粒的一面上；或，

在所述第二屏蔽層形成有導體顆粒的一面上涂布膠膜層。