[發明專利]一種抑制驅動電壓尖峰的MOS管驅動電路

在審

• 申請號: 201810852071.2
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN109004813A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 柳樹渡;李茂華;孫志新
• 申請（專利權）人: 深圳英飛源技術有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M1/32;H03K17/081
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種抑制驅動電壓尖峰的MOS管驅動電路，包括推挽電路、RCD吸收電路、柵極電阻和MOS管，其特征在于：所述RCD吸收電路由吸收電阻R、吸收電容C和TVS管組成，所述TVS管的陰極與所述MOS管的柵極連接，所述TVS管的陽極與所述吸收電容的一端連接，所述吸收電容的另一端與所述MOS管的源極連接，所述吸收電阻與所述TVS管并聯連接。采用本發明電路，通過增加RCD電路，能夠有效抑制MOS管的柵源極正向驅動尖峰電壓，通過增加負壓電路能提高MOS管的關斷可靠性，本發明的抑制驅動電壓尖峰的MOS管驅動電路具有結構簡單，性能可靠等優點。

技術領域

本發明涉及電力電子產品領域，特別涉及一種抑制驅動電壓尖峰的MOS管驅動電路。

背景技術

現有的功率型抑制驅動電壓尖峰的抑制驅動電壓尖峰的MOS管驅動電路中，通常推挽電路輸出串聯一個柵極電阻到MOS管柵極，MOS管柵極與源極之間并聯一個柵源電阻。實際應用中，為了防止功率線路上的干擾耦合在驅動電壓上產生尖峰電壓，常會在柵源極之間再并聯一個TVS瞬態抑制二極管，來抑制MOS管開通時刻的柵源極尖峰電壓，電路如圖1所示，一般選擇的TVS管的反向擊穿電壓小于MOS管柵源極允許的最大電壓。

在一些特殊的應用中，例如SIC MOS管驅動應用中，其Ciss電容較小，導通時很容易產生柵源極尖峰電壓，柵源極之間必須并聯一個TVS瞬態抑制二極管來抑制柵源極尖峰電壓。而由于MOS管柵源極允許的最大電壓有限，而為了降低導通損耗，又希望MOS管的驅動電壓平臺電壓盡可能高，導致驅動電壓平臺電壓與MOS管允許的最大電壓之間的差別很小，導致在兩個電壓等級之間很難選擇一個合適電壓的TVS管，必須優化現有的驅動電路。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種抑制驅動電壓尖峰的抑制驅動電壓尖峰的MOS管驅動電路，能夠有效解決現有技術中的不足。

本發明是通過以下技術方案來實現的：一種抑制驅動電壓尖峰的抑制驅動電壓尖峰的MOS管驅動電路，包括推挽電路、RCD吸收電路、柵極電阻和MOS管，所述RCD吸收電路由吸收電阻R、吸收電容C和TVS管組成，所述TVS管的陰極與所述MOS管的柵極連接，所述TVS管的陽極與所述吸收電容的一端連接，所述吸收電容的另一端與所述MOS管的源極連接，所述吸收電阻與所述TVS管并聯連接。

作為優選的技術方案，所述吸收電容的一端與所述MOS管的柵極連接，所述吸收電容的另一端與所述TVS管的陰極連接，所述TVS管的陽極與所述MOS管的源極連接，所述吸收電阻與所述TVS管并聯連接。

作為優選的技術方案，所述柵極電阻串聯連接在所述推挽輸出端與所述MOS管柵極之間，或者，柵極電阻串聯連接在所述MOS管源極與所述推挽電路地電平之間。

作為優選的技術方案，所述MOS管的柵極與所述MOS管源極之間并聯一個柵源電阻。

作為優選的技術方案，所述推挽電路為帶推挽輸出能力的驅動芯片或帶推挽輸出能力的光耦器件。

作為優選的技術方案，在抑制驅動電壓尖峰的抑制驅動電壓尖峰的MOS管驅動電路中增加一個穩壓二極管和一個負壓電容，MOS管的源極與所述穩壓二極管的陰極連接，所述穩壓二極管的陽極與所述供電電源地電平連接，所述負壓電容與所述穩壓二極管并聯連接。

作為優選的技術方案，在抑制驅動電壓尖峰的抑制驅動電壓尖峰的MOS管驅動電路中增加一個上拉電阻和一個上拉電容，所述上拉電容的一端與所述推挽電路的供電電源連接，所述上拉電容的另一端與所述MOS管的源極連接，所述上拉電阻與所述上拉電容并聯連接。

作為優選的技術方案，所述推挽電路由NPN型三極管和PNP型三極管組成，所述NPN型三極管的基極與所述PNP型三極管的基極一起連接到驅動PWM信號；