[發(fā)明專利]一種Micro-LED光場均勻性調制方法

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• 申請日: 2018-07-30
• 公開（公告）號: CN110782829A
• 公開（公告）日: 2020-02-11
• 發(fā)明（設計）人: 孫雷;張洪波;張婧姣
• 申請（專利權）人: 聯(lián)士光電(深圳)有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種Micro-LED光場均勻性調制方法，其特征在于，包括Micro-LED（1）、鏡頭（2）、感光元件（3）、數據庫（4），Micro-LED（1）作為光源和成像元件，其各像元發(fā)出的光，通過鏡頭（2），在感光元件（3）上成像，感光元件（3）所測量的Micro-LED各像元的光強數據存儲到計算機的數據庫（4）中，通過數據庫中Micro-LED各像元光強數據的分析，減弱光強過強的像元電流或電壓，增強光強過弱的像元電流或電壓，進而控制Micro-LED所有的像元光強在特定范圍內，從而控制整個目標光場的均勻性。

2.如權利要求1所述的一種Micro-LED光場均勻性調制方法，其特征在于，所述Micro-LED（1）是在芯片集成高密度微小尺寸LED陣列，并保證每一個LED像素可定址，并單獨驅動點亮的一種微型顯示芯片及其各種封裝產品。

3.如權利要求1所述的一種Micro-LED光場均勻性調制方法，其特征在于，所述Micro-LED（1）包含一種或多種不同波長的Micro-LED顆粒，Micro-LED的波長范圍為340nm-800nm。

4. 如權利要求1所述的一種Micro-LED光場均勻性調制方法，其特征在于，所述Micro-LED（1）中每個LED像素尺寸為：長≥0.5μm，寬≥0.5μm，LED陣列的行數M≥2，列數N≥2，Micro-LED（1）的每個像元發(fā)散角與鏡頭（2）的數值孔徑相匹配。

5.如權利要求1所述的一種Micro-LED光場均勻性調制方法，其特征在于，所述鏡頭（2）是由包括偏振片、透鏡或反射鏡的一種或多種光學元件組成的成像系統(tǒng)。

6.如權利要求1所述的一種Micro-LED光場均勻性調制方法，其特征在于，所述感光元件（3）包含CCD元件或CMOS元件，用于測量像場的光強。

7.如權利要求1所述的一種Micro-LED光場均勻性調制方法，其特征在于，所述數據庫（4）用于存儲感光元件（3）所測量的Micro-LED各像元的光強數據，通過數據庫中Micro-LED（1）各像元光強數據的分析，減弱光強過強的像元電流或電壓，增強光強過弱的像元電流或電壓，進而控制Micro-LED（1）所有的像元光強在特定范圍內，從而控制整個目標光場的均勻性。

8.一種基于權利要求1至7中任一項所述的一種Micro-LED光場均勻性調制方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1發(fā)光環(huán)節(jié)：Micro-LED（1）上某一個或多個像元在特定電流下發(fā)光；

S2感光環(huán)節(jié)：感光元件（3）上測得上述一個或多個像元的光強數據；

S3 生成數據：計算機上生成上述一個或多個像元的光強數據庫（4），記錄所有已測得像元的光強數據；

S4形成數據庫：重復1次或多次上述S1-S3過程最終獲得Micro-LED（1）上所有像元的光強數據并記入數據庫（4）；

S5數據庫分析：通過計算機算法對數據庫（4）的各像元光強數據進行分析；

S6調制環(huán)節(jié)：對Micro-LED（1）上光強數值高的像元降低其工作電壓或工作電流，進而降低光強數值高的像元的光強，對Micro-LED（1）上光強數值低的像元提高其工作電壓或工作電流，進而提高光強數值低的像元的光強；

S7檢測環(huán)節(jié)：重復上述S1-S5的過程，S5數據庫分析結果如滿足所需光場均勻性要求就退出整個光場均勻性調制工作，存儲調制數據，在Micro LED（1）未來工作狀態(tài)下載入調制數據，通過控制各像元電流或電壓來控制整體光場均勻性；S5數據庫分析結果如不滿足所需光場均勻性要求，重復S6過程后，再重復S7過程進行檢測，如此循環(huán)直至S5數據庫分析結果滿足所需光場均勻性要求退出整個光場均勻性調制工作。