[發(fā)明專利]用于GEM探測器放大單元的阻性基材、制備方法及支架有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810851559.3 | 申請日： | 2018-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN109166784B | 公開（公告）日： | 2020-01-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周意;呂游;尚倫霖;張廣安;魯志斌;劉建北;張志永;豐建鑫 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號： | H01J43/10 | 分類號： | H01J43/10;H01J9/12;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/50 |
| 代理公司： | 11021 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基底層 探測器 放大單元 基材 阻性 正反表面 濺射 支架 制備 有效抑制 面電阻 放電 打火 絕緣 可用 刻蝕 薄膜 抵消 平整 加工 | ||
1.一種用于GEM探測器放大單元的阻性基材，包括：
Apical基底層；以及
DLC薄膜，分別形成于所述Apical基底層的正反表面上，用于探測器放大單元的阻性電極，以及保護(hù)所述Apical基底層；
其中，所述Apical基底層正反表面上的DLC薄膜在同一條件下濺射得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于GEM探測器放大單元的阻性基材，所述DLC薄膜的面電阻值介于20MΩ/□至500MΩ/□之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于GEM探測器放大單元的阻性基材，其中：
所述Apical基底層的厚度介于45μm至55μm之間；
所述DLC薄膜的厚度介于0.8μm至1.2μm之間。
4.一種用于GEM探測器放大單元的阻性基材的制備方法，利用磁控濺射設(shè)備實現(xiàn)，包括：
步驟A：對Apical基底層進(jìn)行固定；
步驟B：對Apical基底層表面進(jìn)行等離子體轟擊刻蝕；
步驟C：在Apical基底層的正反表面上同時濺射沉積得到DLC薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于GEM探測器放大單元的阻性基材的制備方法，所述步驟C中：
通過調(diào)節(jié)濺射沉積的時間調(diào)節(jié)DLC薄膜的厚度；
通過摻入C4H10氣體，并控制C4H10的流量，調(diào)節(jié)DLC薄膜的面電阻值。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于GEM探測器放大單元的阻性基材的制備方法，所述步驟A中，所述Apical基底層的高度位于磁控濺射設(shè)備中弱磁場高純靶材的中部，靶材與Apical基底層間距介于12cm至18cm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于GEM探測器放大單元的阻性基材的制備方法，所述步驟B和所述步驟C在真空環(huán)境下進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于GEM探測器放大單元的阻性基材的制備方法，還包括：
步驟1：對Apical基底層進(jìn)行清潔與烘烤；以及
步驟2：對磁控濺射設(shè)備的高純石墨靶材表面進(jìn)行濺射清洗。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于GEM探測器放大單元的阻性基材的制備方法，還包括步驟D：得到DLC薄膜后，分別測量所述DLC薄膜的厚度與面電阻值。
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